[发明专利]一种IGBT导通损耗测试电路及系统

说明书

本申请公开了一种IGBT导通损耗测试电路及系统，包括：脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；脉冲信号单元与驱动单元的一端连接，驱动单元的另一端与开关速度调节单元连接，开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，待测单元的另一端与钳位电路连接；脉冲信号单元用于提供脉冲信号；驱动单元用于将放大后的脉冲信号通过开关速度调节单元传输至待测单元以驱动待测单元；开关速度调节单元用于控制待测单元的导通速度和关断速度；钳位电路用于提供待测单元的低压检测环境；测试单元与待测单元和钳位电路连接，测试单元用于测试待测单元的导通损耗，通过上述设置，能够准确地获取待测单元的导通损耗。

技术领域

本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种IGBT导通损耗测试电路及系统。

背景技术

高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)在开关工作状态时，经历较高频率的高低压工作状态转换。在导通工作状态下，IGBT的发射极与集电极间流过较大电流，会产生较大的功率损耗，此损耗与流过IGBT的电流大小、占空比、IGBT结温及不同驱动电压相关，准确测量此导通损耗，可以对IGBT长期工作可靠性做出更准确判断，以及对同一电路中，不同的IGBT替换后性能对比做出更准确的评估。

有鉴于此，如何准确测量IGBT的导通损耗，是本领技术人员需要解决的一大问题。

发明内容

本申请提供一种IGBT导通损耗测试电路及系统，能够准确测出IGBT的导通损耗。

第一方面，本申请实施例提供一种IGBT导通损耗测试电路，包括：

脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；

脉冲信号单元与驱动单元的一端连接，驱动单元的另一端与开关速度调节单元的一端连接，开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，待测单元的另一端与钳位电路连接；

脉冲信号单元用于提供脉冲信号；

驱动单元用于放大脉冲信号，并将放大后的脉冲信号通过开关速度调节单元传输至待测单元以驱动待测单元；

开关速度调节单元用于控制待测单元的导通速度和关断速度；

钳位电路用于提供待测单元的低压检测环境；

测试单元与待测单元和钳位电路连接，测试单元用于测试待测单元的导通损耗。

在一种可能的实施方式中，脉冲信号单元包括时基电路芯片、第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容；

时基电路芯片分别与第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容连接；

第一电位器的一端与第一开关和第二电容连接；

第一电位器的另一端、第三电容和时基电路芯片分别与供电电压连接；

第一开关、第二电容和第三电容远离第一电位器的一端接地，第一电容远离时基电路芯片的一端接地。

在一种可能的实施方式中，时基电路芯片包括接地端、触发输入端、输出端、复位端、控制电压端、阈值端和电源正端；

接地端与地连接；

触发输入端与第一电位器、第一开关和第二电容的一端以及阈值端连接；

输出端与开关速度调节单元连接；

复位端、第一电位器的另一端、第三电容的一端以及电源正端与供电电压连接；

控制电压端与第一电容的一端连接。