[发明专利]存储器系统及其编程方法

说明书

本申请提供一种存储器的系统及编程方法。存储器的每个字线连接多个存储单元，多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，编程方法包括：执行第1级编程，以将第一存储单元的阈值电压编程至大于等于第一存储单元的最终验证电压，将第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，第一存储单元的阈值电压大于第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。

技术领域

本申请涉及存储器领域，尤其涉及一种非易失性存储器系统及其设置编程电压方法。

背景技术

闪存存储器件具有可多次编程、存储密度高、功耗较低、容量大、读写速度快、适用于大量数据的存储等特点，在非易失性类存储领域中显现出强劲的市场竞争力，也得到了越来越广泛的应用。例如，闪存存储器件已经大量广泛应用于智能手机、云端储存、电脑固态硬盘等领域。

闪存存储器已经广泛使用NAND闪存芯片来处理数据。现有的NAND闪存芯片通常采用多级编程方法来减少存储单元字线之间的耦合干扰，提高数据存取的准确性。多级编程方法采用递进步长脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，简称ISPP)方法进行编程，利用逐步增大的编程电压对闪存存储器件的存储单元进行编程。在整个编程过程中，需要向存储单元施加多个编程脉冲，每一次编程操作之后都要进行验证操作，如果存储单元的阈值电压大于等于预定的验证电压，验证通过，编程操作结束；反之，如果存储单元的阈值电压小于验证电压，验证失败，需要增大向存储单元施加的编程电压，直至验证通过，编程结束。

在闪存存储器件存储大量数据时，需要大量的验证处理，占用了大量的时间，降低了存储器的读写速度，因此在保证数据存储的准确性的前提下，提高存储器单元的读写速度是当下需要解决的问题。

发明内容

针对现有技术中的上述或其它至少一些不足，本申请提供一种存储器系统及其设置编程电压方法。

根据本申请的一个方面，提供一种确存储器的编程方法，所述存储器的每个字线连接多个存储单元，其特征在于，所述多个存储单元包括第一存储单元以及除了所述第一存储单元的第二存储单元，所述方法可包括：执行第1级编程，以将所述第一存储单元的阈值电压大于等于所述第一存储单元的最终验证电压，将所述第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，所述存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，所述第一存储单元的阈值电压大于所述第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将所述多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。

根据本申请的另一个方面，提供了一种存储器系统，可包括存储阵列、电压提供电路和控制器。存储阵列包括分别与多个存储单元连接的多个字线。电压提供电路耦合到所述存储阵列。控制器配置为控制所述电压提供电路向每个所述字线施加编程电压和验证电压，以对同一所述字线连接的多个存储单元进行编程。同一所述字线连接的所述多个存储单元包括第一存储单元以及除了所述第一存储单元的第二存储单元，在第1级编程中，所述第一存储单元的阈值电压被配置为大于等于所述第一存储单元的最终验证电压，以及所述多个第二存储单元的阈值电压被配置为大于等于第一级中间验证电压，其中，所述存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，所述第一存储单元的阈值电压大于所述第二存储单元的阈值电压；以及在第N级编程中，所述多个第二存储单元的阈值电压被配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。

在一个实施方式中，在第1级编程至第N级编程中的每一级编程过程中，所述多个第二存储单元的验证电压和最终验证电压配置可为小于与所述第一存储单元的最终验证电压。