[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置及显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括外延结构、绝缘层和金属电极，所述外延结构包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层，其特征在于：

所述外延结构上具有第一电极，第一电极上具有所述绝缘层；所述绝缘层上具有第二电极；

所述绝缘层上具有导电通孔结构；所述导电通孔具有相对的上开口和下开口，所述导电通孔的下开口位于所述第一电极的上表面上，在所述导电通孔另一侧的上开口处具有第二电极；所述第二电极同时填充所述导电通孔电连接所述第一电极；

所述导电通孔上开口至少一个边缘端点在水平面的垂直投影点分布在所述第一电极的上表面在水平面的垂直投影线段外，其中，所述第一电极的上表面的宽度大于绝缘层导电通孔的下开口的宽度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电通孔的纵向深度在2μm以上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的绝缘层包括DBR反射层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电通孔的上开口与下开口之间有连接侧壁，至少部分连接侧壁呈向上开口凸起的弧形结构。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电通孔的上开口与下开口之间有连接侧壁，所述连接侧壁为呈向上开口凸起的弧形。

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的弧形结构延伸至所述的导电通孔的连接侧壁的顶部端点处。

7.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述弧形结构的各点切线相对于第一电极上表面的倾斜角自上而下依次递增。

8.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述连接侧壁顶部端点切线相对于第一电极的上表面角度在20°~ 60°之间。

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述第一电极下还具有电流扩展层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述电流扩展层下还具有电流阻挡层。

11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁底部的水平倾斜角为不大于45°。

12.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的第一电极包括含Al合金的膜层。

13.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的第一电极包括含AlCu合金的膜层。

14.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的第一电极不含金元素层。

15.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极的厚度不超过500nm。

16.根据权利要求1~15任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的第二电极上还包括另一绝缘层，所述的另一绝缘层上还有第三电极，另一绝缘层具有通孔露出部分第二电极的上表面，第三电极填充另一绝缘层的通孔与第二电极连接。

17.根据权利要求16所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的另一绝缘层的通孔内侧壁与通孔内底部第二电极的上表面之间的夹角在10~60°之间。

18.根据权利要求17所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述的另一绝缘层的厚度在800~2000nm之间。