[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202110671282.8 | 申请日: | 2021-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN113421892A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 戴文君 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张俊杰 |
| 地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,该显示面板包括:阵列基板、多个LED、多个第一桥接结构和多个第二桥接结构,其中,第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域,在垂直于阵列基板所在平面的方向上,第二桥接区域与LED不交叠,第二桥接结构与阵列基板电连接,在垂直于阵列基板所在平面的方向上,第二桥接结构与LED的电极位于第一桥接结构的同一侧;且LED的电极与第一桥接结构的第一桥接区域电连接,第二桥接结构与第一桥接结构的第二桥接区域电连接,从而使得LED的电极依次通过第一桥接结构和第二桥接结构和阵列基板电连接,提高了显示面板的稳定性。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法以及一种包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,显示面板的应用越来越广泛,已经逐渐应用到人们工作和生活的各个领域,为人们的工作和生活带来了极大的便利。其中,Micro LED显示面板是以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示面板,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。但是,现有Micro LED显示面板在制作过程中,使用巨量转移键合工艺来转移Micro LED,而巨量转移键合工艺存在加压加热过程,对Micro LED和背板都存在损伤,从而造成Micro LED显示面板的可靠性问题。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种显示面板,以提高显示面板的可靠性。
为解决上述问题,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种显示面板,包括:
阵列基板;
多个LED,所述多个LED位于所述阵列基板第一侧,所述LED包括发光层以及位于所述发光层靠近所述阵列基板一侧的电极;
多个第一桥接结构,所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域,在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上,所述第二桥接区域与所述LED不交叠;
多个第二桥接结构,所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接,在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上,所述第二桥接结构与所述LED的电极位于所述第一桥接结构的同一侧;
其中,所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接,所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接。
一种显示面板的制作方法,包括:
提供第一基板,在所述第一基板的第一侧形成多个LED,所述LED包括发光层以及位于所述发光层背离所述第一基板一侧的电极;
在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成多个第一桥接结构,所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域,在垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述第二桥接区域与所述LED没有交叠,且所述LED电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接;
将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到阵列基板上,并去除所述第一基板,所述LED的电极位于所述发光层靠近所述阵列基板的一侧,所述第一桥接结构位于所述LED的电极所述阵列基板之间;
在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构,所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接,且所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板中电连接。
一种显示装置,包括上述显示面板。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





