[发明专利]漏斗型氮化镓纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 202110670495.9 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113488433A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 宗杨;黄辉;唐祯安 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏斗 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种漏斗型氮化镓纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将镓源、氨气在衬底上进行第一次化学气相沉积，然后改变条件进行第二次化学气相沉积，制备得到漏斗型氮化镓纳米线；
所述化学气相沉积在反应器中进行；
所述第一次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为740～760℃；气压为250～350Torr；镓源流量为3.2～4.8sccm；氨气流量为16～24sccm；
所述第二次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为830～880℃；气压为250～350Torr；镓源流量为1.6～2.4sccm；氨气流量为32～48sccm；
所述镓源包括三甲基镓；
所述衬底上负载有催化剂薄膜，催化剂薄膜的厚度为8～12nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为745～755℃；气压为280～330Torr；镓源流量为3.6～4.4sccm；氨气流量为18～22sccm；
优选地，所述第一次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为750℃；气压为300Torr；镓源流量为4sccm；氨气流量为20sccm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为840～860℃；气压为280～330Torr；镓源流量为1.8～2.2sccm；氨气流量为36～44sccm；
优选地，所述第二次化学气相沉积的操作条件如下：
温度为850℃；气压为300Torr；镓源流量为2sccm；氨气流量为40sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述衬底与催化剂薄膜之间还包括氮化镓薄膜；
优选地，所述氮化镓薄膜的厚度为2.4～3.6μm，优选为3μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂薄膜包括镍薄膜和金薄膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镍薄膜和金薄膜的厚度各自独立的为4～6nm，优选为5nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次化学气相沉积的时间为700～900s，优选为800s。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二次化学气相沉积的时间为24～36s，优选为30s。
10.采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的漏斗型氮化镓纳米线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110670495.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
