[发明专利]基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法

权利要求书

1.基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法，其特征在于：该方法包括如下步骤，

1)预处理二氧化硅晶片：首先，用玻璃刀将二氧化硅晶片分割，然后，将分割后的二氧化硅晶片浸没在H₂O₂：NH₃·H₂O：H₂O＝1:1:5(V/V/V)的溶液中，用水浴锅加热清洗二氧化硅晶片；

2)通过自组装法在二氧化硅晶片上制备单分子层二氧化硅微球：将SiO₂微球用乙醇稀释，配置成2wt％的二氧化硅微球溶液；在室温下，用滴管取12uL二氧化硅微球溶液，以10°的倾斜度浸入到二氧化硅晶片表面；由于蒸发作用，溶液从二氧化硅微球顶部缓慢地消散，二氧化硅微球逐渐自组装，形成封闭式单分子层二氧化硅微球；

3)配置银氨溶液：将硝酸银和柠檬酸三钠混合溶于去离子水中，形成白色悬浮液；然后，将氨水加入到悬浮液中以获得透明溶液；

4)将表面形成单分子层二氧化硅微球的二氧化硅晶片浸入银氨溶液中，使用波长在405～1030nm的连续波激光照射；调节透镜，使激光束呈现直径为3mm的光斑；激光还原后，通过质量分数为1wt％的氢氟酸溶液去除二氧化硅微球。

2.根据权利要求1所述的基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法，其特征在于：水浴锅加热的温度为60℃，加热时间为0.5h。

3.根据权利要求1所述的基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法，其特征在于：SiO₂粒径大小为500nm～2000nm。

4.根据权利要求1所述的基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法，其特征在于：基于Mie的理论，即当入射光波长略长于均匀单电介质球的直径时，带有亚波长腰部的紧密聚焦的光束会出现在球体的阴影上，当激光照射在二氧化硅微球表面时，二氧化硅微球使激光聚焦，增强近场强度。

5.根据权利要求1所述的基于激光调谐等离子体共振的制备超晶格SERS基底方法，其特征在于：计算EF的公式为EF＝(I_SERS/I_OR)/(C_SERS/C_OR)；其中I_SERS和I_OR对应于SERS基底和二氧化硅晶片上R6G的拉曼强度，C_SERS和C_OR分别表示SERS基底和二氧化硅晶片上R6G溶液的浓度。