[发明专利]生成式对抗网络驱动的硅锗超晶格发光新材料开发技术

权利要求书

1.一种生成式对抗网络驱动的硅锗超晶格发光新材料开发技术，其特征在于，所述方法包括：

使用第一性原理计算产生不同排列方式硅锗超晶格能带结构数据；

构造生成式对抗网络，对超晶格对应能带结构的映射关系进行建模；

使用模拟计算生成的样本及少量实验数据构造训练数据集；

对生成式对抗网络中的生成模型和判别模型进行交错联合训练；

使用生成模型对不同排列方式的硅锗超晶格材料体系进行搜索，选择具有最优发光性能的结构。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，使用第一性原理计算硅锗超晶格能带结构，超晶格的排列为随机产生，无需特殊人工设计。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述使用第一性原理计算随机排列结构生成样本，样本的产生方式为多机并行执行。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，生成模型为循环神经网络，判别模型为卷积神经网络。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，使用的训练样本在模拟数据中结合了实验数据，训练过程能够实现模拟样本与真实样本中信息的融合，提高了模型预测结果的实用性。

6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述使用生成模型对随机超晶格结构进行搜索，其输出结果为能带是直接带隙可能性的评分。