[发明专利]用于汽车雷达的电压增益放大器在审

专利信息
申请号: 202110667839.0 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113810001A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: R·比斯瓦斯 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 汽车 雷达 电压 增益 放大器
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

放大器,具有接收输入信号的输入,并且所述放大器在输出处生成输出信号,其中所述输出信号包括期望的低频分量和不期望的高频分量;

高通滤波器,接收所述输出信号并且被配置为滤除所述期望的低频分量并且传递所述不期望的高频分量;以及

晶体管电路,被耦合在所述放大器的所述输入与接地之间,其中所述晶体管电路由通过所述高通滤波器传递的所述输出信号的所述不期望的高频分量驱动,使得所述晶体管电路从所述输入信号去除那些不期望的高频分量。

2.根据权利要求1所述的电路,

其中所述输入信号是由第一差分输入信号和第二差分输入信号组成的差分输入信号;

其中所述输出信号是由第一差分输出信号和第二差分输出信号组成的差分输出信号,所述第一差分输出信号和所述第二差分输出信号包括所述期望的低频分量和所述不期望的高频分量;

其中所述放大器具有接收所述第一差分输入信号的第一输入以及接收所述第二差分输入信号的第二输入,并且所述放大器具有输出所述第一差分输出信号的第一输出以及输出所述第二差分输出信号的第二输出;

其中所述晶体管电路包括差分放大器,所述差分放大器由第一晶体管和第二晶体管形成,所述第一晶体管和所述第二晶体管具有分别耦合到所述放大器的所述第一输出和所述第二输出的其第一传导端子,具有耦合到尾节点的其第二传导端子,并且具有控制端子;以及

其中所述高通滤波器包括耦合在所述第一晶体管的控制端子与所述第二晶体管的控制端子之间的滤波电阻、耦合在所述第一晶体管的控制端子与所述放大器的所述第一输出之间的第一滤波电容,以及耦合在所述第二晶体管的控制端子与所述放大器的所述第二输出之间的第二滤波电容。

3.根据权利要求2所述的电路,其中所述差分放大器包括:

第一NPN晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第一输入的集电极、耦合到所述尾节点的发射极、以及通过所述第一滤波电容耦合到所述放大器的所述第一输出的基极;

第二NPN晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第二输入的集电极、耦合到所述尾节点的发射极、以及通过所述第二滤波电容耦合到所述放大器的所述第二输出的基极;以及

其中所述滤波电阻耦合在所述第一NPN晶体管的基极与所述第二NPN晶体管的基极之间。

4.根据权利要求2所述的电路,其中所述差分放大器包括:

第一n沟道晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第一输入的漏极、耦合到所述尾节点的源极、以及通过所述第一滤波电容耦合到所述放大器的所述第一输出的栅极;

第二n沟道晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第二输入的漏极、耦合到所述尾节点的源极、以及通过所述第二滤波电容耦合到所述放大器的所述第二输出的栅极;以及

其中,所述滤波电阻耦合在所述第一n沟道晶体管的栅极与所述第二n沟道晶体管的栅极之间。

5.根据权利要求2所述的电路,其中所述尾节点通过电流源耦合到接地。

6.根据权利要求2所述的电路,还包括:由第一输入晶体管和第二输入晶体管形成的输入差分放大器,所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管具有分别生成所述第一差分输入信号和所述第二差分输入信号的其第一传导端子,具有耦合到尾部的其第二传导端子,以及具有分别耦合以接收第一输入信号和第二输入信号的其控制端子。

7.根据权利要求6所述的电路,还包括:耦合在所述第一输入晶体管的控制端子与接地之间的第一可调谐RC电路,以及耦合在所述第二输入晶体管的控制端子与接地之间的第二可调谐RC电路。

8.根据权利要求6所述的电路,还包括提供所述第一输入信号的第一放大器以及提供所述第二输入信号的第二放大器。

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