[发明专利]双面吸附的静电吸盘及其装配结构在审
| 申请号: | 202110666476.9 | 申请日: | 2021-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN113571460A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
| 发明(设计)人: | 张鸣;成荣;朱煜;刘相波 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 王迎;袁文婷 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面 吸附 静电 吸盘 及其 装配 结构 | ||
1.一种双面吸附的静电吸盘,其特征在于,包括:基体、附着于所述基体表面的电极层,以及位于所述电极层远离所述基体侧的介电层;其中,
所述电极层包括镀设在所述基体的上表面的上电极以及镀设在所述基体的下表面的下电极;
所述介电层包括设置在所述上电极远离所述基体一侧的上介电层以及设置在所述下电极远离所述基体一侧的下介电层;
待吸附产品通过上电极吸附在所述上介电层上,所述下介电层通过所述下电极吸附在外部底座上。
2.如权利要求1所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
所述上电极为等面积双极性同心圆环嵌套电极;并且,所述下电极的结构与所述上电极的结构相同。
3.如权利要求1所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
在所述上介电层的上表面述设置有均匀分布的凸点,在所述上介电层的边缘位置设置有连续分布且包围所述凸点的凸台;
所述待吸附产品与所述凸台及所述凸点相接触。
4.如权利要求3所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
所述上介电层与所述凸台为一体成型结构。
5.如权利要求3所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
所述基体包括适配连接的上基体和下基体;
在所述上基体和所述下基体的结合处设置气液冷却结构,所述气液冷却机构用于对所述待吸附产品进行降温。
6.如权利要求5所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
所述气液冷却结构为规则分布的环形或者圆弧形。
7.如权利要求5所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
所述气液冷却结构的进口和出口对称分布在所述基体的延伸台上,或者所述气液冷却结构的出口均匀分布在所述气液冷却结构的通道上。
8.如权利要求1所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
在所述基体的四周设置有均分分布的至少两个温度传感器;
所述温度传感器包括具有正温度系数的PTC温度传感器和具有负温度系数的NTC温度传感器。
9.如权利要求1所述的双面吸附的静电吸盘,其特征在于,
在所述基体上设置有对称分布的两个定位块;
在所述定位块内分别设置有电极接头,所述电极接头包括绝缘件、电极片、电极接柱和定位销孔,所述电极接柱与所述电极层的对应电极相连接。
10.一种静电吸盘装配结构,其特征在于,包括微动台、设置在所述微动台上的反射镜块、以及设置在所述反射镜块上的双面吸附的静电吸盘,所述双面吸附的静电吸盘如权利要求1至9任一项所述;其中,
待吸附产品通过所述双面吸附的静电吸盘的上表面的静电吸附力固定在所述双面吸附的静电吸盘上,所述双面吸附的静电吸盘通过下表面的吸附力固定在所述反射镜块上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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