[发明专利]显示装置及其制作方法在审
| 申请号: | 202110665834.4 | 申请日: | 2021-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN115483252A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 龙浩晖;赵迎波;李小龙;黄丽媚;李健辉;肖甜;方建平;张适 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 邵飞 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括衬底和位于所述衬底一侧的阵列层;
盖板,所述盖板位于所述阵列层背向所述衬底一侧,所述盖板包括第一膜层和第二膜层,所述第一膜层位于所述第二膜层背向所述衬底一侧;
其中,所述第一膜层由高模量材料形成,所述高模量材料的弹性模量为E1,50Mpa≤E1≤5Gpa,所述第二膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述改性吸能抗冲材料包括改性硅胶、改性热塑性聚氨酯弹性体橡胶、改性聚氨酯或改性剪切增稠材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述改性吸能抗冲材料的分子结构包括键合的聚合物分子主链和改性聚合物分子主链,其中,所述改性聚合物分子主链具有氢键或配位键,所述配位键包括硼氧键、金属-邻苯二酚或金属-组氨酸。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第二膜层的弹性模量为E2,10Kpa≤E2≤500Mpa。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第一膜层的膜厚小于所述第二膜层的膜厚。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述盖板还包括第三膜层,所述第三膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧,所述第三膜层由高模量材料形成,所述高模量材料形成的弹性模量为E3,50Mpa≤E3≤5Gpa。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述盖板还包括第四膜层,所述第四膜层位于所述第二膜层朝向所述衬底一侧,所述第四膜层由具有粘性和剪切增稠特性的改性吸能抗冲材料形成。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述阵列层包括无机绝缘层,至少一层所述无机绝缘层具有镂空部,所述镂空部内填充有有机部。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述阵列层包括沿背向所述衬底层叠设置的防护层、半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间绝缘层和源漏极层,所述无机绝缘层包括所述防护层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层;
其中,所述防护层具有第一镂空部,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第一镂空部与所述半导体层不交叠;
所述第一栅极绝缘层具有第二镂空部,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第二镂空部与所述第一栅极层不交叠;
所述第二栅极绝缘层具有第三镂空部,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第三镂空部与所述第二栅极层不交叠;
所述层间绝缘层具有第四镂空部,所述显示装置包括显示区,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第四镂空部覆盖所述显示区。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,
所述显示装置包括显示区和非显示区,所述非显示区包括移位寄存器电路区和扇形走线区,所述镂空部位于所述显示区和所述移位寄存器电路区,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述镂空部与所述扇形走线区不交叠。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述显示装置还包括保护膜,所述保护膜位于所述盖板背向所述衬底一侧;
所述保护膜包括抗反射层,所述抗反射层包括中空的减反粒子,所述减反粒子的颗粒粒径为r,25nm≤r≤30nm,和/或,所述减反粒子的颗粒壁厚为k,10nm≤k≤12nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





