[发明专利]显示装置和用于制造显示装置的方法

说明书

本公开涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法。所述显示装置可以包括：基底，包括显示区域和弯曲区域；缓冲层，设置在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述弯曲区域中在所述缓冲层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。

技术领域

实施例涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法，更具体地，实施例涉及一种包括弯曲区域的显示装置和一种用于制造显示装置的方法。

背景技术

有机发光显示装置可以包括由聚合物等形成的柔性基体基底。包括柔性基体基底的显示面板可以被设计为具有弯曲区域，并且为了防止由于施加到弯曲区域的弯曲应力而导致的无机层的破裂，可以在弯曲区域中另外执行去除无机层的掩模工艺。在这种情况下，随着掩模工艺的数量增加，有机发光显示装置的制造成本可能增加。

最近，为了降低有机发光显示装置的制造成本，已经开发了包括形成在弯曲区域中的无机层的有机发光显示装置，而没有去除形成在弯曲区域中的无机层的额外掩模工艺。然而，当无机层保留在弯曲区域中时，弯曲区域可能变得容易破裂。

发明内容

实施例提供了一种包括弯曲区域的显示装置。

实施例提供了一种用于制造包括弯曲区域的显示装置的方法。

根据实施例的一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和弯曲区域；缓冲层，设置在所述基底上；第一虚设图案，设置在所述弯曲区域中在所述缓冲层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上，所述第一绝缘层暴露所述第一虚设图案的上表面；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层具有暴露所述第一虚设图案的所述上表面的开口；第二虚设图案，设置在所述第一虚设图案的通过所述开口暴露的所述上表面上；以及传输线，设置在所述第二虚设图案上。

在实施例中，所述基底可以包括：第一有机膜；第一阻挡层，设置在所述第一有机膜上；第二有机膜，设置在所述第一阻挡层上；以及第二阻挡层，设置在所述第二有机膜上。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：源极电极和漏极电极，设置在所述显示区域中在所述第二绝缘层上。包括在所述第二虚设图案中的材料与包括在所述源极电极和所述漏极电极中的每一个中的材料相同。

在实施例中，所述第二虚设图案可以接触所述第一虚设图案的暴露的所述上表面。

在实施例中，所述基底还可以包括：外围区域，设置在所述显示区域和所述弯曲区域之间；和连接区域，设置为邻近于所述弯曲区域。所述第二虚设图案从所述外围区域的边缘延伸到所述连接区域的边缘。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一有机层，设置在所述第二虚设图案上；其中，所述传输线设置在所述第一有机层上。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：第二有机层，设置在所述传输线上。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：下部电极，设置在所述显示区域中在所述第二有机层上；发射层，设置在所述下部电极上；以及上部电极，设置在所述发射层上。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：有源层，设置在所述显示区域中在所述缓冲层上。包括在所述第一虚设图案中的材料与包括在所述有源层中的材料相同。

在实施例中，所述第一虚设图案可以包括硅半导体。

在实施例中，所述第一虚设图案可以包括多晶硅。