[发明专利]一种高稳定度直流电流源及控制系统

权利要求书

1.一种高稳定度直流电流源，其特征在于，包括：辅助电源模块、数字外循环模块及模拟内循环控制模块；所述辅助电源模块分别与所述数字外循环模块及所述模拟内循环控制模块电连接；所述数字外循环模块与所述模拟内循环控制模块电连接；

所述辅助电源模块包括：稳压扩流电路及调整管压降控制电路；所述稳压扩流电路与所述调整管压降控制电路电连接；

所述数字外循环模块包括：通信接口、嵌入式处理器、数模转换电路及模数转换电路；所述通信接口与所述嵌入式处理器电连接，所述嵌入式处理器与所述数模转换电路连接，所述模数转换电路与所述嵌入式处理器连接；所述调整管压降控制电路与所述嵌入式处理器电连接；

所述模拟内循环控制模块包括：量程切换电路、V/I转换电路、功率输出电路及调理电路；所述数模转换电路与所述量程切换电路电连接，所述量程切换电路与所述V/I转换电路电连接，所述V/I转换电路与所述功率输出电路电连接，所述功率输出电路与所述调理电路电连接，所述调理电路与所述模数转换电路电连接；所述调整管压降控制电路与所述量程切换电路电连接。

2.如权利要求1所述的一种高稳定度直流电流源，其特征在于，所述辅助电源模块包括：

所述辅助电源模块，用于将220V交流电压通过整流、滤波及稳压后为所述高稳定度直流电流源提供稳定的电压。

3.如权利要求1所述的一种高稳定度直流电流源，其特征在于，

所述稳压扩流电路包括：三端稳压芯片U1、至少两个并联于所述三端稳压芯片U1两侧的三极管Q_l-Q_N及P沟道增强型MOS管；所述三端稳压芯片U1的输入端通过电阻R_T接入电压输入端，所述三端稳压芯片U1的输出端连接负载电路，所述三端稳压芯片U1的接地端通过电阻R_B接地；所述三极管Q_l-Q_N的发射极分别通过电阻R₁-R_N连接于所述电阻R_T的一端，所述电阻R_T的另一端连接所述三端稳压芯片U1的输入端，所述三极管Q_l-Q_N的基极与所述三端稳压芯片U1的输入端连接，所述三极管Q_l-Q_N的集电极与所述三端稳压芯片U1的输出端连接；所述P沟道增强型MOS管的漏极和源极均分别连接于所述电阻R_B的两端，所述P沟道增强型MOS管的栅极接入栅源电压；当负载电流增大时，所述电阻R_T两端的电压增大，所述三极管Q_l-Q_N对电压进行分流；电阻R_A的一端连接于所述三端稳压芯片U1的输出端，所述电阻R_A的另一端连接于所述P沟道增强型MOS管的漏极，其中，N为大于等于2的整数。

4.如权利要求3所述的一种高稳定度直流电流源，其特征在于，

所述稳压扩流电路还包括：并联于三端稳压芯片两侧的二极管D1；所述二极管D1的阳极连接所述三端稳压芯片的输出端，所述二极管D1的阴极连接所述三端稳压芯片的输入端。

5.如权利要求4所述的一种高稳定度直流电流源，其特征在于，

所述稳压扩流电路还包括：电容C10、电容C11、电容C12及电容C13；

所述电容C10一端连接所述电阻R_T的一端，另一端接地；

所述电容C11一端连接所述电阻R_T的一端，另一端接地；

所述电容C12一端连接所述三端稳压芯片U1的输出端，另一端接地；

所述电容C13一端连接所述三端稳压芯片U1的输出端，另一端接地。