[发明专利]液晶显示面板及显示装置

说明书

本发明涉及一种液晶显示面板及包括该液晶显示面板的显示装置，所述液晶显示面板的一个子像素内设置两个薄膜晶体管，与现有3T的像素结构相比，减少了薄膜晶体管的数量，提高像素开口率，并且在次区薄膜晶体管与次区液晶电容之间串联连接第三电容，次区电压由于电容增多而降低，使得液晶分子在主区的偏转角度大于液晶分子在次区的偏转角度，形成不同的视角，解决色偏问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示面板及具有该液晶显示面板的显示装置。

背景技术

薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)是当前平板显示器的主要产品之一，已成为大尺寸TV的主流技术，随着信息技术和人们生活水平的提升、人们对面板尺寸、解析度及显示器的画质的要求也越来越高。

液晶显示屏从不同角度观看，会出现色偏问题，为了改善色偏，现有技术中采用3T8畴的像素结构进行改善，即一个子像素的像素电极分割成主区和次区，主区和次区内分别有4个畴，亮区main(或称主区)与暗区sub(或称次区)之间设置3个TFT(薄膜晶体管)的像素结构，现有的3T8畴像素结构的等效电路图如图1所示，图1中，主区薄膜晶体管T_main的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据曲线Data，漏极分别连接主区存储电容C_{st_main}的一端和主区液晶电容C_{lc_main}的一端，所述主区存储电容C_{st_main}的另一端连接阵列电极Acom，主区液晶电容C_{lc_main}的另一端连接CF电极CFcom，次区薄膜晶体管T_sub的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据线Data，漏极分别连接次区存储电容C_{st_sub}的一端和次区液晶电容C_{lc_sub}的一端，所述次区存储电容C_{st_sub}的另一端连接阵列电极Acom，次区液晶电容C_{lc_sub}的另一端连接CF电极CFcom，共享薄膜晶体管T_cs的栅极连接数据线Gate，源极连接次区薄膜晶体管T_sub的漏极，漏极连接阵列电极Acom。

此外，现有技术中还有3TPLUS8畴的像素结构，参照图2，与3T8畴的像素结构的差别在于，在亮区main和暗区sub之间增加了一个第二阵列电极Acom2，共享薄膜晶体管T_cs的漏极连接第二阵列电极Acom2。

不论是3T8畴的像素结构还是3TPLUS8畴的像素结构，都是在主区main和次区sub施加不同的电压，使液晶分子倾斜角度程度不一样，改善视角色偏问题，但是，目前的3T8畴的像素结构设计和3TPLUS8畴的像素结构设计，会影响像素开口率，导致开口率会减小，进而导致TFT液晶显示器的光学穿透率不佳。

发明内容

本发明目的在于，提供一种液晶显示面板及显示装置，以解决现有液晶显示面板开口率低导致光学穿透率不佳的问题。

具体地，本发明采用的技术方案为：