[发明专利]一种渐变槽线加载的双频天线有效
| 申请号: | 202110663504.1 | 申请日: | 2021-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN113471688B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 任建;左苗苗;尹应增 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/307 |
| 代理公司: | 西安吉顺和知识产权代理有限公司 61238 | 代理人: | 王大治 |
| 地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 渐变 加载 双频 天线 | ||
1.一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:至少包括:介质板(1)、低频辐射结构(2)、低频馈电结构(3)、高频辐射结构(4)、高频馈电结构(5);所述的介质板(1)是双层PCB板,低频辐射结构(2)、低频馈电结构(3)、高频辐射结构(4)、高频馈电结构(5)刻蚀在双层PCB板上下金属层上,其中介质板(1)为方型结构,低频辐射结构(2)在介质板(1)中间从上到下以指数渐变槽线构成,低频辐射结构(2)的指数渐变槽线的展开线位于介质板(1)的上端,由低频辐射结构(2)的指数渐变槽线将介质板(1)虚拟分割成左右结构,介质板(1)上层金属左上和右上分别刻蚀高频辐射结构(4),高频辐射结构(4)由四元指数渐变槽线组成;在介质板(1)的下层金属左右四元指数渐变槽线底部分别刻蚀高频馈电结构(5);在介质板(1)上层金属低频辐射结构(2)的左右指数渐变槽线底部汇合处刻蚀直径为M的圆,M是圆形谐振腔的直径;在介质板(1)下层金属对应于直径为M的圆上端的位置处刻蚀低频馈电结构(3)。
2.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的高频馈电结构(5)由四个小扇形枝节通过微带线连接构成,四个小扇形枝节其中三个间隔分布在四元指数渐变槽线的间隔之间,另一个在介质板(1)内侧四元指数渐变槽线一侧,四个小扇形枝节在一个水平线上,其间隔相同,四个小扇形枝节其中左侧三个之间通过微带线连接,相邻两个小扇形枝节通过微带线连接在一起,最后再通过微带线将两个连接在一起微带线连接引出。
3.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的双层PCB板高度b为90mm,长度d为110mm。
4.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的低频馈电结构(3)包括:微带线、扇形枝节、指数渐变槽线末端直径为M的圆构成,直径为M的圆直径为8MM,微带线从介质板(1)中心线(6)靠左侧底部垂直向上在以90度向中心线侧转折跨过指数渐变槽线到扇形面中心处,微带线末端是扇形的枝节,扇形面的半径Rr1为10mm,扇形面的半径Rr1中心在指数渐变槽线上,低频馈电结构(3)由微带到槽线的转化器实现,微带线末端是扇形的枝节,能够起到阻抗匹配的效果。
5.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的四元指数渐变槽线的4根槽线深度L3=20mm。
6.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的四元指数渐变槽线的开口宽度L1是3mm,间隔P1是2.6mm。
7.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的低频辐射结构(2)在介质板(1)中间从上到下以指数渐变槽线曲率Re为0.09。
8.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的低频辐射结构(2)的指数渐变槽线末端开口宽度W是60mm,这也是左右高频辐射结构(4)之间间隔。
9.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的高频馈电结构(5)由四个小扇形枝节通过微带线连接构成,四个小扇形枝节其中三个间隔分布在四元指数渐变槽线的间隔之间,另一个在介质板(1)内侧四元指数渐变槽线一侧,四个小扇形枝节分别通过微带线连引出。
10.根据权利要求1所述的一种渐变槽线加载的双频天线,其特征是:所述的高频馈电结构(5)在介质板(1)底层,两组高频馈电结构(5)以介质板中心线(6)形成左右对称结构。
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