[发明专利]一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110663181.6 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410306B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王成熙;杜欣荣;王清波;赵杰;卓青青;温富刚 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
1.一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构，其特征在于，包括衬底硅(8)，
衬底硅(8)上设置有掺杂层，掺杂层上表面四周沉淀有凸出设置的场氧化层(2)；
所述场氧化层(2)内侧的掺杂层上表面覆盖栅氧化层(6)；
所述栅氧化层(6)覆盖的掺杂层上表面四周设置有嵌入掺杂层的环状第一接触电极，上表面中部设置有两个条状第二接触电极，分别对应嵌入掺杂层的两个掺杂区；
所述栅氧化层(6)上表面沉积有多晶硅栅极(7)；所述多晶硅栅极(7)两端分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层(6)区域重叠设置；
所述掺杂层中包括间隔设置的P阱(1)和N阱(5)；P阱(1)和N阱(5)接触界面形成PN结，所述多晶硅栅极(7)沿PN结方向设置；
所述多晶硅栅极(7)位于两个条状第二接触电极之间，并覆盖对应P阱(1)和N阱(5)之间的PN结；
所述条状第二接触电极平行于P阱(1)和N阱(5)之间的PN结设置；
所述多晶硅栅极(7)一侧与一个条状第二接触电极的对应栅氧化层(6)区域相邻设置，另一侧与另一个条状第二接触电极的对应栅氧化层(6)区域间隔设置；
所述栅氧化层(6)的厚度为50nm-100nm；
所述掺杂层包括依次设置的P阱(1)、N阱(5)和P阱(1)，环状第一接触电极为P型源漏接触电极(3)；两个条状第二接触电极为分别设置在N阱(5)和一个P阱(1)的N型源漏接触电极(4)；
或者所述掺杂层包括依次设置的N阱(5)、P阱(1)和N阱(5)，环状第一接触电极为N型源漏接触电极(4)，两个条状第二接触电极为分别设置在P阱(1)和一个N阱(5)的P型源漏接触电极(3)。
2.一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件的制备方法，其特征在于，基于权利要求1所示任意一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构，包括以下步骤：
衬底硅(8)表面生长离子注入预氧层，对其光刻并退火，完成阱掺杂，形成掺杂层；
掺杂层上表面生长垫氧化层并淀积屏蔽氮化硅，光刻形成场氧化窗口；去除表面氮化硅及有源区氧化层；
在场氧化窗口内的边缘处光刻掺杂层形环状第一接触电极，在场氧化窗口内部光刻掺杂层形成条状第二接触电极，并完成源漏杂质注入及去胶，退火完成源漏掺杂；
在场氧化窗口内生长栅氧化层(6)，并在生长栅氧化层(6)上淀积多晶硅，光刻形成多晶硅栅极(7)；完成抗总剂量辐射加固LDMOS器件的制备。
3.根据权利要求2所述一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件的制备方法，其特征在于，当衬底硅(8)为N型硅则先光刻形成N阱窗口并完成N型硼杂质注入及去胶，再进行光刻形成P阱窗口并完成P型硼杂质注入及去胶；
当衬底硅(8)为P型硅，则光刻形成P阱窗口并完成P型硼杂质注入及去胶，再进行光刻形成N阱窗口并完成N型硼杂质注入及去胶。
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