[发明专利]像素电路及显示装置有效
申请号: | 202110660801.0 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113393795B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 廖伟见;蔡孟杰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 | ||
1.一种像素电路,用以驱动一发光二极管,该像素电路包括:
一存储电容,耦接该发光二极管;
一选择器,依据一存储数据以选择一第一信号或一第二信号至该存储电容;
一存储元件,耦接该选择器,该存储元件存储一写入数据以获得该存储数据;以及
一写入开关,耦接该存储元件,该写入开关于该像素电路切换模式之间将写入数据写入至该存储元件,
其中该选择器包括:
一第一晶体管,该第一晶体管的第一端接收该第一信号,该第一晶体管的第二端耦接该存储电容,该第一晶体管的控制端接收该存储数据;以及
一第二晶体管,该第二晶体管的第一端接收该第二信号,该第二晶体管的第二端耦接该存储电容,该第二晶体管的控制端接收一反相存储数据。
2.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路操作在一动态模式或一静态模式时,该写入开关被截止,
其中在该像素电路切换于该动态模式及该静态模式之间时,该写入开关被导通以使该写入数据写入至该存储元件。
3.如权利要求1所述的像素电路,其中在该像素电路在切换至一静态模式之前的一第一写入时间区间中,该写入数据为一静态显示数据,该静态显示数据被写入而成为该存储数据。
4.如权利要求3所述的像素电路,其中当该像素电路操作于该静态模式时,该第一信号及该第二信号为互相反相的脉宽调制信号,该存储元件依据存储的该静态显示数据控制该选择器,以提供该第一信号或该第二信号至该存储电容。
5.如权利要求1所述的像素电路,其中在该像素电路切换至一动态模式之前的一第二写入时间区间中,具有一第一逻辑电平的该写入数据被写入而成为该存储数据。
6.如权利要求5所述的像素电路,其中当该像素电路操作于该动态模式时,该第一信号为一动态显示数据,该选择器依据该存储数据将该动态显示数据提供至该存储电容进行显示。
7.如权利要求1所述的像素电路,其中该存储元件为一闩锁电路。
8.如权利要求1所述的像素电路,还包括一数据传输开关,耦接该选择器及该写入开关,该数据传输开关依据一栅极扫描信号以决定是否传递信号至该选择器及该写入开关。
9.一种显示装置,包括:
多个数据线;
多个像素电路,分别耦接对应的该些数据线,各该像素电路用以驱动一发光二极管,各该像素电路包括:
一存储电容,耦接该发光二极管;
一选择器,依据一存储数据以选择一第一信号或一第二信号至该存储电容;
一存储元件,耦接该选择器,该存储元件存储一写入数据以获得该存储数据;以及
一写入开关,耦接该存储元件,该写入开关于各该像素电路切换模式之间将该写入数据写入至该存储元件,
其中该选择器包括:
一第一晶体管,该第一晶体管的第一端接收该第一信号,该第一晶体管的第二端耦接该存储电容,该第一晶体管的控制端接收该存储数据;以及
一第二晶体管,该第二晶体管的第一端接收该第二信号,该第二晶体管的第二端耦接该存储电容,该第二晶体管的控制端接收一反相存储数据。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中当各该像素电路操作在一动态模式或一静态模式时,该写入开关电路被截止,
其中在各该像素电路切换于该动态模式及该静态模式之间时,该写入开关被导通以使该写入数据写入至该存储元件。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中在各该像素电路切换至一静态模式之前的一第一写入时间区间中,该写入数据为一静态显示数据,该静态显示数据被写入而成为该存储数据。
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