[发明专利]包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料

说明书

本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A¹是C₆‑C₃₀亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀亚杂芳基，并且每个A²和A³独立地选自C₆‑C₃₀芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C₂‑C₃₀杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑4任一项的半导体材料。还公开了选自A1至A7和B1至B8的化合物。

本申请为国际申请PCT/EP2014/071659于2016年4月8日进入中国国家阶段、申请号为201480055720.6、发明名称为“包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料”的分案申请。

技术领域

本发明涉及具有改进的电学性能的有机半导体材料、适用于这种有机半导体材料的化合物和利用本发明的半导体材料的改进的电学性能的电子器件。

背景技术

在包含至少一个基于由有机化学提供的材料的部件的电子器件中，有机发光二极管(OLED)具有突出的地位。自从Tang等人在1987年演示了高效OLED(C.W.Tang等，Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987))以来，OLED已从有希望的候选者发展成高端商业化显示器。OLED包含一系列基本上由有机材料制成的薄层。这些层通常具有1nm至5μm范围内的厚度。这些层通常利用真空沉积或者从溶液利用例如旋涂或喷墨印刷来形成。

在载荷子以电子形式从阴极并且以空穴形式从阳极注入到排列在其间的有机层中之后，OLED发光。载荷子注入在施加的外部电压的基础上实现，随后激子在发光区中形成并且那些激子发生辐射复合。至少一个电极是透明或半透明的，在大多数情况下采取透明氧化物例如铟锡氧化物(ITO)或薄金属层的形式。

本发明的目的是克服现有技术的缺点并提供可以成功包埋在用于电子器件的电掺杂半导体材料中的化合物。本发明的半导体材料将提供具有更好的特性、尤其是具有低电压和更高效率的器件，更具体来说，提供具有更高功率效率的OLED。

发明内容

所述目的通过一种半导体材料来实现，所述半导体材料包含

i)根据式(I)的化合物：

其中R¹、R²和R³独立地选自C₁-C₃₀-烷基、C₃-C₃₀环烷基、C₂-C₃₀-杂烷基、C₆-C₃₀-芳基、C₂-C₃₀-杂芳基、C₁-C₃₀-烷氧基、C₃-C₃₀-环烷氧基、C₆-C₃₀-芳氧基和由通式E-A-所示的结构单元，

其中A是亚苯基间隔基单元，并且E是电子传输单元，其选自C₁₀-C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆-C₆₀杂芳基，并包含至少10个离域电子的共轭体系，

选自R¹、R²和R³的至少一个基团由所述通式E-A-所示，

以及

ii)至少一种式(II)所示的锂络合物