[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

设置在所述等离子体处理腔室内的工作台；

用于在所述等离子体处理腔室内生成等离子体的高频电源；

对设置在所述工作台中的电极施加负极性的电压的至少一个电源；

构成为能够使对所述电极的所述电压的施加停止的切换机构；和

构成为能够控制所述切换机构的控制器，

所述控制器控制所述切换机构，以使得周期性地反复执行：对所述电极施加来自所述电源的负极性的电压，以将所述等离子体处理腔室内生成的等离子体中的离子引入到所述工作台上所载置的基片的步骤，和对所述电极不施加来自所述电源的负极性的电压的步骤，并且，所述电压被施加至所述电极的期间在各个周期内所占的比率设定为40％以下。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制器控制所述切换机构以将所述比率设定为35％以下。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电源具有多个电源，

所述控制器控制所述切换机构，使得在各个周期内，施加至所述电极的所述电压由从所述多个电源依次输出的多个电压形成。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个电压具有彼此相同的电平。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制器控制所述高频电源，使得与开始所述电压的施加同时地开始从所述高频电源供给高频，与停止所述电压的施加同时地停止从所述高频电源供给高频。

6.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制器控制所述高频电源，使得与开始所述电压的施加同时地停止从所述高频电源供给高频，与停止所述电压的施加同时地开始从所述高频电源供给高频。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具有负极性的所述电压的电平为-3000V。

8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置是电容耦合型的等离子体处理装置。

9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置在所述腔室内仅收纳被载置在所述工作台上的单一的基片。

10.一种在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

等离子体处理腔室；

设置在所述等离子体处理腔室内的工作台；

用于在所述等离子体处理腔室内生成等离子体的高频电源；和

对设置在所述工作台中的电极施加负极性的电压的至少一个电源，

所述等离子体处理方法包括：

从所述高频电源供给高频，以在所述等离子体处理腔室内生成等离子体的步骤；和

从所述电源对所述电极施加具有负极性的电压，以将所述等离子体中的离子引入到所述工作台上所载置的基片的步骤，

在施加电压的所述步骤中，周期性地反复执行对所述电极施加所述电压的步骤和对所述电极不施加所述电压的步骤，并且，所述电压被施加至所述电极的期间在各个周期内所占的比率设定为40％以下。

11.如权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述比率设定为35％以下。

12.如权利要求10或11所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置的所述电源具有多个电源，

在各个周期内，施加至所述电极的所述电压由从所述多个电源依次输出的多个电压形成。