[发明专利]一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂有效
申请号: | 202110659303.4 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113362981B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 付明;范琳;张胡广;吕文中;汪小红 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01B1/16;H01B1/22;C03C12/00 |
代理公司: | 深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙) 44646 | 代理人: | 付钦伟 |
地址: | 325035 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 发射 区银铝 电极 浆料 无机 玻璃 粘结 | ||
本发明公开了一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂,属于光伏发电太阳能电池技术领域。该无机玻璃粘结剂为钒酸盐玻璃,其主要材料为V2O5‑B2O3‑ZnO‑Li2O系,按质量百分比,主要成分包括:V2O5占20‑60%,B2O3占10‑40%,ZnO占5‑30%,Li2O占3‑20%。用该玻璃粘结剂制备的银铝浆对N型电池钝化层(Al2O3+SiNx)有良好的腐蚀效果,并且在烧结时,银电极不会破坏电池片的P型发射区,使银电极与硅能形成良好的欧姆接触,接触电阻小于0.5Ω.cm‑2;玻璃熔点为:450‑600℃,与银铝浆的烧结工艺匹配,电极烧结温区宽,满足电池烧结工艺的要求,可实现电池转化效率≥23.5%。
技术领域
本发明属于光伏发电太阳能电池技术领域,更具体地,涉及一种N型硅太阳能电池的 P型发射区欧姆接触银铝电极浆料。
背景技术
与传统P型硅太阳电池相比,N型硅电池的N型硅衬底对Fe、Ni等金属杂质不敏感,具有更大的载流子扩散长度和更长的少子寿命等优点。此外,由于磷掺杂的N型硅衬底中 B含量极低,所以其光致衰减效应几乎不存在。因此,N型硅太阳电池原理上具有更高的转换效率和更好的工作稳定性。
在太阳能电池生产制造过程中最为关键的步骤之一就是金属化,金属化工艺不仅影响电池的光电转换效率,同时还影响电池的使用寿命。其中金属化浆料在金属化工艺中起着十分重要的作用,由于N型太阳能电池的发射区为P型,将传统的金属化银浆通过丝网印刷到N型电池的P型硅表面,无法形成欧姆接触,接触电阻很大;另外,N型电池的钝化层一般采用Al2O3膜叠加SiNx膜,该钝化层比普通P型电池的正面单纯的SiNx减反射膜难于腐蚀,普通的正银浆料很难透过减反射膜与硅进行接触。因此,N型电池的银铝浆料所选用的无机玻璃粘结剂作用非常关键。常用的玻璃粘结剂有Pb-B玻璃、Pb-Si玻璃、Pb-B-Si 玻璃、Bi-B玻璃、Te-Pb玻璃等,这些玻璃粘结剂对于N型电池的Al2O3+SiNx钝化膜腐蚀效果不好,银与硅之间难于直接接触。同时,银铝浆中添加铝粉后,浆料非常容易烧穿P 型发射区,使得电池片的烧结工艺很窄,不利于制作高转换效率的太阳能电池。
针对银铝电极浆料丝网印刷于P型发射区形成欧姆接触问题,本发明提供了一种银铝浆,其中无机玻璃粘结剂为V系玻璃粉,其熔点为450-600℃,与银粉和铝粉烧结工艺匹配,烧结温区宽;此玻璃粉对钝化层(氧化铝+氮化硅)有良好的腐蚀效果,将本发明提供的银铝浆丝网印刷在N型硅电池的P型发射区面上,经过烧结后,银与硅能形成良好的欧姆接触,接触电阻小于0.5Ω.cm-2;本发明提供的银铝浆印刷在N型硅太阳电池上可制得转换效率≥23.5%的电池片。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是针对现有技术中存在的问题,提供一种P型发射区欧姆接触银铝电极浆料,该浆料由以下部分组成:无机玻璃粘结剂、金属银粉、金属铝粉、有机载体和添加剂。通过丝网印刷工艺在N型电池的P型发射区形成膜层,烧结后形成导电膜,使银电极与P型发射区形成良好的欧姆接触,接触电阻低,制成的电池片转换效率高。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
银铝浆的组分为:
优选地,所述无机玻璃粘结剂为V2O5-B2O3-ZnO-Li2O系玻璃粉,这四种氧化物占所述玻璃粉总质量的40~90%,所述玻璃的熔化温度为450-600℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的