[发明专利]一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构有效
| 申请号： | 202110658972.X | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113540209B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;张清纯 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分布电容 辐射 加固 sic 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构，其包括有源区和非有源区，有源区包括第一掺杂类型的SiC衬底，在衬底上生长的第一掺杂类型的外延层，在外延层里注入形成的第二掺杂类型的阱；其特征在于，在有源区的低掺杂浓度的第一掺杂类型的外延层内，交错插入分布的浮空的高掺杂浓度的第二掺杂类型结构，纵向位置相同的同层高掺杂浓度的第二掺杂类型结构间隔若干有源区元胞设置；各层之间的低掺杂浓度的第一掺杂区域与高掺杂浓度的第二掺杂区域交替复合结构形成PN交替电容，从顶部电极到底部电极呈纵向排布状态，分别与非有源区内的对应同一层的用于存储电荷的浮空的PN结电容连接；终端结构中，第二掺杂类型的高掺杂区域和表面场限环或JTE连接。
2.根据权利要求1所述的基于分布电容的辐射加固SiC器件结构，其特征在于，第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P 型；或者第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N 型。
3.根据权利要求1所述的基于分布电容的辐射加固SiC器件结构，其特征在于，有源区的第一掺杂类型的外延层内的第二掺杂类型结构的掺杂浓度高于1×1018，以使器件在反偏时，区域呈现不完全耗尽状态。
4.根据权利要求1所述的基于分布电容的辐射加固SiC器件结构，其特征在于，高掺杂浓度的第二掺杂类型结构和表面场限环交错连接、顺序连接或多间隔连接。
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