[发明专利]一种具有埋层结构的超势垒整流器件

权利要求书

1.一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于包括：

背面金属层(1)；

第一导电类型半导体衬底(2)；所述第一导电类型半导体衬底(2)覆盖于背面金属层(1)之上；

第一导电类型半导体漂移区(3)；所述第一导电类型半导体漂移区(3)覆盖于第一导电类型半导体衬底(2)之上；

第二导电类型半导体体区(6)；所述第二导电类型半导体体区(6)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面；

第一导电类型半导体重掺杂源区(7)；所述第一导电类型半导体重掺杂源区(7)覆盖于第二导电类型半导体体区(6)之上的部分表面；

栅氧化层(8)；所述栅氧化层(8)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)、第二导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体重掺杂源区(7)之上的部分表面；

多晶硅栅极(9)；所述多晶硅栅极(9)覆盖于栅氧化层(8)之上；

正面金属层(10)；所述正面金属层(10)中部为凸起结构；该正面金属层(10)整体覆盖于多晶硅栅极(9)上，该凸起结构位于正面金属层(10)中央且覆盖于多晶硅栅极(9)、栅氧化层(8)、第一导电类型半导体重掺杂源区(7)和第二导电类型半导体体区(6)之上的部分表面，所述多晶硅栅极(9)、栅氧化层(8)、第一导电类型半导体重掺杂源区(7)和第二导电类型半导体体区(6)分别位于凸起结构两侧且彼此独立；

第一导电类型半导体重掺杂区(5)；所述第一导电类型半导体重掺杂区(5)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面，且正面金属层(10)凸起结构覆盖于第一导电类型半导体重掺杂区(5)之上的部分表面；

第二导电类型半导体埋层(4)；所述第二导电类型半导体埋层(4)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上且位于第一导电类型半导体重掺杂区(5)两侧。

2.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：第二导电类型半导体埋层(4)的结深应大于第一导电类型半导体重掺杂区(5)的结深。

3.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：第一导电类型半导体重掺杂源区(7)与正面金属层(10)为欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：第一导电类型半导体重掺杂区(5)与正面金属层(10)为欧姆接触或肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型半导体埋层(4)为离子注入或外延生长形成。

6.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：第二导电类型半导体埋层(4)与第二导电类型半导体体区(6)可接触。

7.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：第二导电类型半导体埋层(4)与正面金属层10可接触。

8.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的超势垒整流器件，其特征在于：所述P型埋层(4)以及P型体区(6)与第一导电类型半导体漂移区(3)之间的PN结在零电压时形成耗尽层且耗尽层将第一导电类型半导体重掺杂区(5)完全包围。