[发明专利]一种晶片的加工方法

说明书

本发明提供了一种晶片的加工方法，包括以下步骤：半切割加工处理步骤，切割工具由晶片的正面切入晶片，切入深度等于晶片减薄后的厚度；贴胶步骤，在晶片的正面贴上一层胶带；背面研削步骤，对晶片的背面进行研削加工直至晶片分割成多个芯片；框架粘贴步骤，将贴有胶带的晶片粘贴到框架上；剥离胶带步骤，将晶片正面的胶带剥离。本发明提供的晶片的加工方法，其通过先对晶片进行半切割加工处理，再进行晶片背面研削加工，使得晶片分割成多个芯片，可最大限度地抑制分割芯片时产生的背面崩裂及晶片破损，从而能够顺利地从大尺寸的晶片上切割出芯片；由于采用研削加工对芯片实施分离作业，故可以有效地避免薄型晶片在搬运过程中的破损风险。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，是涉及一种晶片的加工方法。

背景技术

在器件芯片的制造工序中，使用在由呈格子状排列的多条间隔道(分割预定线)划分的多个区域的正面侧分别形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)、LSI(Large ScaleIntegration，大规模集成)等器件的晶片。将该晶片沿着间隔道进行分割，从而得到分别具有器件的多个器件芯片。器件芯片搭载于以移动电话、个人计算机为代表的各种电子设备中。

目前，市场上12寸(300mm)晶片的薄型化需求日益扩大，其需要同时满足12寸晶圆与薄型化。但是，晶片在减薄后搬运过程中易发生晶片破裂，且晶片在切割加工时易产生正背面崩裂现象，这已经成为生产厂家必须面对的重要难题。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种晶片的加工方法，以解决现有技术中存在的晶片在减薄后搬运过程中易发生晶片破裂及在切割加工时易产生正背面崩裂的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种晶片的加工方法，包括以下步骤：

半切割加工处理步骤，待减薄的晶片包括相对设置的正面和背面，切割工具由所述晶片的正面切入所述晶片，切入深度等于所述晶片减薄后的厚度；

贴胶步骤，在所述晶片的正面贴上一层胶带；

背面研削步骤，对所述晶片的背面进行研削加工直至所述晶片分割成多个芯片；

框架粘贴步骤，将贴有胶带的所述晶片粘贴到框架上；

剥离胶带步骤，将所述晶片正面的胶带剥离。

可选地，在所述背面研削步骤与所述框架粘贴步骤之间还包括背面抛光步骤，所述背面抛光步骤包括对研削加工后的所述晶片的背面进行抛光处理。

可选地，在所述半切割加工处理步骤中，采用半切割用切割机在所述晶片的正面的切割道上开设凹槽，所述凹槽的深度等于所述晶片减薄后的厚度。

可选地，在所述贴胶步骤中，所述胶带为UV保护膜。

可选地，在所述贴胶步骤中，所述胶带为BG保护膜。

可选地，在所述背面研削步骤中，采用保持工作台隔着所述胶带来保持所述晶片，使所述晶片的背面露出，并采用研削机对所述晶片的背面进行研削加工。

可选地，所述框架粘贴步骤包括采用联机系统将研削后的所述晶片搬运到框架粘贴机上。

可选地，在所述框架粘贴步骤中，在将研削后的所述晶片搬运之后先实施位置校准，再将研削后的所述晶片粘贴到所述框架粘贴机上。

可选地，在所述框架粘贴步骤中，所述晶片通过划片膜粘贴到所述框架粘贴机上。

可选地，在所述剥离胶带步骤之后，所述晶片的加工方法还包括检验步骤，所述检验步骤包括检验分割后的所述芯片的正面和背面品质。