[发明专利]基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构，其特征在于，包括：封装管壳、粘胶、多通孔硅基板、ASIC电路芯片和MEMS结构芯片；所述多通孔硅基板上设置阵列式分布的若干通孔构成的多孔区域；所述ASIC电路芯片和MEMS结构芯片分别设置于多通孔硅基板的上表面上并分别位于阵列式分布若干通孔两侧，所述ASIC电路芯片和MEMS结构芯片分别与多通孔硅基板之间通过粘胶粘合；MEMS芯片的管脚与ASIC芯片的管脚通过金丝引线键合连接；

粘接了MEMS芯片和ASIC芯片的多通孔硅基板下表面通过粘胶固定在管壳底面，其中粘胶区域仅位于ASIC芯片投影的下方的硅基板底面区域内，多孔区域以及MEMS芯片投影下方的硅基板底面区域内没有粘胶；ASIC芯片管脚与管壳内腔管脚通过金丝引线键合。

2.根据权利要求1所述的基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构，其特征在于，硅基板为平面硅基板、背面为“L”型硅基板或者有结构凹面的基板。

3.根据权利要求1所述的基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构，其特征在于，若干通孔的形状设置为正方形柱、圆柱形、椭圆柱或者正六边形中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述阵列式的形式为长方形阵列、花瓣形阵列或者蜂窝式阵列。

5.基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用单晶硅晶圆设计并加工出硅基板；采用微刻蚀工艺在单晶硅晶圆上加工出特定尺寸的、特定阵列式分布的多孔区域；

加工完成后划片形成单个硅基板；采用粘胶在硅基板的上表面、多孔区域的两侧，分别粘胶MEMS芯片和ASIC芯片，然后采用金丝引线键合连接MEMS芯片的管脚与ASIC芯片的管脚，实现电信号互联；

再采用粘胶将粘接了MEMS芯片和ASIC芯片的硅基板粘胶固定在封装管壳底面，其中粘胶区域仅位于ASIC芯片投影的下方的硅基板底面区域内，多孔区域以及MEMS芯片投影下方的硅基板底面区域内没有粘胶；最后再采用金丝引线键合连接ASIC芯片管脚与管壳内腔管脚，实现器件内部与外部信号互联。

6.根据权利要求5所述的基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述阵列式分形式为长方形阵列、花瓣形阵列或者蜂窝式阵列。