[发明专利]大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法

说明书

本发明公开一种大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，包括：提供载板，在载板的一侧制作第一重布线层；在第一重布线层上制作传输层，并在传输层上制作第二重布线层；提供ASIC芯片和滤波元件，将ASIC芯片和滤波元件倒装于第二重布线层上并进行塑封；对塑封层进行开孔处理，形成第一盲孔和第二盲孔；在第一盲孔内制作第一导电柱，在第二盲孔内制作第二导电柱，在塑封层的表面制作第三重布线层；拆除载板，将传感器芯片的I/O接口与第一重布线层电性连接。本发明将芯片倒装于重布线层，倒装芯片与重布线层的连接强度更高，并且芯片倒装后再进行塑封的方式更为稳定，避免塑封层产生翘曲和高热应力，产品的良率更高。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体涉及大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法。

背景技术

微机电技术(Micro-Electro-Mechanical Systems,简称MEMS)，是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工艺技术，它的操作范围在微米范围内。专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,简称ASIC)，在集成电路界被认为是一种专门目的而设计的集成电路。

传感器芯片与ASIC芯片的封装结构开辟了一个全新的技术领域与产业，基于封装结构制作的微传感器等在人们所能接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用前景。

现有技术中，一般的传感器模块中的传感器芯片与ASIC芯片的封装结构是直接将二者相对通过胶层贴合固定或焊接固定在PCB板上，如此，传感器模块在使用过程中，容易出现芯片密封泄露的情况，并且这种封装方式将导致PCB的整体封装结构厚度变厚，对于一些封装结构厚度要求高的应用场景，现有技术明显无法满足需求。

此外，在芯片扇出型封装过程中，通常需要先对芯片进行塑封，然后对塑封层钻孔处理，使芯片的I/O口外露，最后通过电镀制作与芯片的I/O口电性连接的重布线层，从而实现将芯片电性引出，然而，采用该工艺方法时，各组件(芯片、塑封层)之间固有的热膨胀系数不匹配，在电镀的过程中，封装结构容易产生高度翘曲和高热应力，这种高热应力和翘曲不仅导致芯片中各封装层的分层，而且还会引起焊料凸块破裂，导致芯片与重布线层连接的稳定性不高，从而导致故障。

发明内容

本发明的目的在于提供一种大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，降低封装结构的厚度，防止芯片发生泄露，并且可以有效降低翘曲，提高芯片与重布线层电性连接的稳定性。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

提供一种大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，包括以下步骤：

S10、提供载板，在所述载板的一侧制作第一重布线层；

S20、在所述第一重布线层上制作传输层，并在所述传输层上制作与所述第一重布线层电性连接的第二重布线层；

S30、提供ASIC芯片和滤波元件，将所述ASIC芯片和所述滤波元件倒装于所述第二重布线层上并进行塑封，形成塑封层；

S40、对所述塑封层进行开孔处理，形成位于所述ASIC芯片和所述滤波元件之间的第一盲孔以及位于所述滤波元件远离所述ASIC芯片一侧的第二盲孔，并使所述第一盲孔、所述第二盲孔延伸至所述第二重布线层；

S50、在所述第一盲孔内制作第一导电柱，在所述第二盲孔内制作第二导电柱，在所述塑封层的表面制作通过所述第一导电柱和所述第二导电柱与所述第二重布线层电性连接的第三重布线层；

S60、拆除载板，并提供传感器芯片，将所述传感器芯片的I/O接口与所述第一重布线层电性连接。

作为大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法的一种优选方案，步骤S30具体包括：