[发明专利]超掺杂硅薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

电极掩膜，将硅基太阳能电池作为衬底进行电极掩模后置入真空镀膜机的真空室中；

抽真空，对真空室抽真空处理；

镀膜，蒸发硅以及过渡金属在衬底上形成混合薄膜；

掺杂，待衬底冷却后，取出衬底置入保护气氛中，使用重复频率为50～100kHz的纳秒激光作用于混合薄膜形成等间距条状半导体掺杂层。

2.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，混合薄膜的厚度为0.05～1μm。

3.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤中，过渡金属的量为0.001～0.01mol。

4.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤中，硅与过渡金属在衬底表面形成混合薄膜时，衬底的表面温度为25～60℃。

5.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所使用的硅的纯度≥99.9999％，所使用的过渡金属的纯度≥99.999％。

6.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤中，使用阻蒸镀膜装置在加热电流为20～150A时蒸发过渡金属，使用电子束镀膜装置在束流为150～300mA时蒸发硅。

7.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在掺杂步骤中，纳秒激光的能量密度为0.1～1.5j/cm²。

8.根据权利要求7所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在掺杂步骤中，纳秒激光作用时的水平移动速度为500～3000mm/s。

9.根据权利要求1所述的超掺杂硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，在抽真空步骤中，对真空室抽真空处理后，真空室内的真空度为3×10^-3Pa以下，在掺杂步骤中，保护气氛通过在第二真空室中抽真空达到10^-1Pa及以下后再充保护气体到一个标准大气压得到。

10.一种超掺杂硅薄膜太阳能电池，其特征在于，通过如权利要求1～9中任意一种方法制作得到。