[发明专利]一种微测辐射热计的三层像元结构

权利要求书

1.一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述三层像元结构自上而下依次为光吸收层(1)、热敏层(2)和电极层(3)，所述光吸收层(1)与热敏层(2)通过中空桥柱(4)相连，光吸收层(1)与热敏层(2)之间形成光学谐振腔，所述热敏层(2)内嵌有两个电极(5)，所述两个电极(5)位于热敏层(2)的两个相对侧，所述电极层(3)包括电极层桥面及其上表面两排互不接触的呈中心对称的三重折叠迂回结构的桥腿一(6)和桥腿二(7)，每个所述三重折叠迂回结构的首端和尾端分别设有孔一(8)和孔二(9)，所述电极(5)的两个对角侧均向下弯折形成桥柱一(10)，所述桥柱一(10)插入孔一(8)内，所述孔二(9)中通过插入桥柱二(11)与硅衬底(12)相连接，所述热敏层(2)和电极层(3)的上下表面均设有钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述光吸收层(1)厚度为0.1um-0.2um。

3.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述中空桥柱(4)的高度为2um-2.5um，厚度为0.2um-0.5um，半径为2um-3um。

4.根据权利要求3所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述中空桥柱(4)的半径为2um，厚度为0.2um。

5.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述热敏层(2)与两个电极(5)电连接，热敏层(2)与光吸收层(1)面积相同。

6.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述热敏层(2)对角处设置两倒角，其上下两层钝化层厚度均为0.05um-0.1um。

7.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述桥柱一(10)厚度为1um，且桥柱一(10)被厚度为0.1um的钝化层包围。

8.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述桥腿一(6)和桥腿二(7)在电极层(3)上呈弓字型排列。

9.根据权利要求8所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述桥腿一(6)和桥腿二(7)的宽度用W1表示，W1均为0.6um，两者之间间距W2为0.2um-0.4um，末端延伸至桥面对角处，其上下两层钝化层厚度为0.05um-0.1um。

10.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述电极层(3)通过桥柱二(11)与硅衬底(12)电连接并固定；所述桥柱二(11)为四周包裹有钝化层的金属电极，作为两点支撑的平稳结构。

11.根据权利要求1所述的一种微测辐射热计的三层像元结构，其特征在于：所述光吸收层(1)和钝化层材料均为Si₃N₄，热敏层(2)的材料为VO_x，电极层(3)和热敏层(2)上含有的电极材料均为Ti。