[发明专利]一种双频微带平面反射阵列天线

权利要求书

1.一种双频微带平面反射阵列天线，其特征在于：包括反射阵面，反射阵面包括呈阵列排布的若干个双频微带平面反射单元；

每个双频微带平面反射单元均包括从上至下依次布设的Phoenix单元、上层介质基板、I型缝隙单元、下层介质基板和金属地板；

每个双频微带平面反射单元均具有两条相互正交的对称轴，分别为u轴和v轴；

Phoenix单元印刷在上层介质基板的顶面，Phoenix单元包括从内至外同心布设的内层开口环和外层开口环；

内层开口环包括关于v轴对称的两条内圆弧；

外层开口环包括关于v轴对称的两条外圆弧；

I型缝隙单元设置在上层介质基板和下层介质基板之间；I型缝隙单元包括中层金属板和蚀刻在中层金属板上的“I”型缝隙；“I”型缝隙包括长条缝隙和对称布设在长条缝隙两端的两个端部矩形缝隙；其中，长条缝隙位于v轴上且关于u轴对称；

金属地板印刷在下层介质基板的底面；

通过调整若干个所述双频微带平面反射单元中Phoenix单元中内层开口环的半径r₁，使高频实现360°的反射相位变化；通过调整若干个所述双频微带平面反射单元中I型缝隙单元中长条缝隙的长度l，使低频实现大于330°的反射相位变化。

2.根据权利要求1所述的双频微带平面反射阵列天线，其特征在于：每条内圆弧的张角和每条外圆弧的张角均相等。

3.根据权利要求1所述的双频微带平面反射阵列天线，其特征在于：假设长条缝隙的宽度为w₃，每个端部矩形缝隙的长度为w₄，每个端部矩形缝隙的宽度为w₅，则w₄＞w₅＞w₃。

4.根据权利要求1所述的双频微带平面反射阵列天线，其特征在于：根据高频所需的反射相移，调整每个双频微带平面反射单元中r₁的大小；根据低频所需的反射相移，调整每个双频微带平面反射单元中l的大小。

5.根据权利要求4所述的双频微带平面反射阵列天线，其特征在于：假设双频微带平面反射单元在反射阵面中呈n*n排列，其中，n≥2；则第i个双频微带平面反射单元中r₁和l的计算方法，包括如下步骤：

步骤1、分别建立r₁和l的相位变化曲线，建立方法为：

A、建立r₁相位变化曲线：将第i个双频微带平面反射单元中的r₁从1mm按照设定间隔增加到4.5mm，其中，1≤i≤n²；在每个r₁值处，均测试一次高频的反射相位，进而得到高频时r₁与反射相位的单元相位变化曲线；

B、建立l相位变化曲线：将第i个双频微带平面反射单元中的l从0.5mm按照设定的间隔增加到8.5mm，在每个l值处，均测试一次低频的反射相位，进而得到低频时l与反射相位的单元相位变化曲线；

步骤2、计算补偿相位：根据第i个双频微带平面反射单元在反射阵面坐标系中的坐标，计算得到第i个双频微带平面反射单元所需要的补偿相位，补偿相位包括高频反射相位和低频反射相位；

步骤3、计算r₁和l：将步骤2计算的补偿相位，代入步骤1建立的相位变化曲线中，进而得到第i个反射单元中的r₁和l值。