[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

形成一半导体堆叠，包括：

在一基板上沉积一第一半导体层；以及

在该第一半导体层上沉积一第二半导体层；

蚀刻该半导体堆叠以形成一鳍片，该鳍片包括多个纳米结构的一堆叠；

在该鳍片上形成一虚设栅极结构；

蚀刻该鳍片以形成一凹口，该凹口邻近该虚设栅极结构，该凹口露出该基板，该凹口露出在该虚设栅极结构下方的该第一半导体层以及该第二半导体层的多个第一侧部；

蚀刻所述露出的第一侧部以露出多个第二侧部；

在所述露出的第二侧部上沉积一第三半导体层；

在该虚设栅极结构上以及该第三半导体层上沉积一第一介电层；

蚀刻该第一介电层以露出该第三半导体层的多个部分；

在该露出的基板上以及邻近该第三半导体层的所述露出的部分形成一第一外延区；

去除该虚设栅极结构；

去除该第一半导体层的多个剩余部分以在该鳍片中形成一开口；以及

在该开口中形成一栅极结构。