[发明专利]降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型AlGaN层与氧化铟锡层之间增加p型复合接触层，p型复合接触层包括依次层叠在p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层。Mg接触子层降低电阻，提高空穴浓度。MgN子层中具有较高的空穴浓度而整体电阻较低。MgN子层过渡到p型GaN子层与p型InGaN子层，电阻降低。使发光二极管外延片整体的体电阻降低，进而降低最终得到的紫外发光二极管芯片的工作电压，提高紫外发光二极管芯片的使用寿命。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于杀菌消毒、食物封口材料固化、医用胶固化等，紫外发光二极管外延片则是用于制备紫外发光二极管的基础结构。紫外发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上生长的n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层、p型GaN接触层与氧化铟锡层。

将紫外发光二极管外延片制备为紫外发光二极管芯片的过程中，需要在p型接触层的表面制备p电极，p电极将电流传导至氧化铟锡层与p型GaN接触层内实现电流的传导与pn结发光。但p型GaN接触层与氧化铟锡层之间的欧姆接触较高，会提高紫外发光二极管芯片整体的体电阻，在紫外发光二极管芯片的工作电流不变的前提下会导致紫外发光二极管芯片的工作电压升高，降低紫外发光二极管芯片的使用寿命。

发明内容

本公开实施例提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法，可以降低紫外发光二极管芯片的工作电压并提高紫外发光二极管芯片的使用寿命。所述技术方案如下：

本公开实施例提供可一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片，所述降低工作电压的紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层、p型复合接触层及氧化铟锡层，

所述p型复合接触层包括依次层叠在所述p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层，所述Mg接触子层包括多个相互间隔且层叠在所述p型AlGaN层上的Mg金属岛；

在p型复合接触层上生长氧化铟锡层。

可选地，所述Mg接触子层的厚度与所述MgN子层的厚度之比为1:1～1:2。

可选地，所述Mg接触子层的厚度为10～50nm，所述MgN子层的厚度为20～50nm。

可选地，相邻的两个所述Mg金属岛之间的距离为0.5～3nm。

可选地，所述MgN子层的厚度小于或者等于所述p型GaN子层的厚度。

可选地，所述p型GaN子层的厚度小于所述p型InGaN子层的厚度。

可选地，所述p型GaN子层的厚度为20～50nm，所述p型InGaN子层的厚度为50～100nm。

可选地，所述p型GaN子层与所述p型InGaN子层中的p型杂质均为Mg，所述p型GaN子层中Mg的掺杂浓度小于所述p型InGaN子层中Mg的掺杂浓度。

本公开实施例提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片的制备方法，所述降低工作电压的紫外发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaN层；

在所述n型AlGaN层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型AlGaN层；