[发明专利]用于耦合多个半导体装置的设备及方法

说明书

公开用于耦合半导体装置的设备及方法。在半导体装置群组(例如，半导体装置堆叠)中，将信号提供到所述群组的中间半导体装置处的耦合点，且在不同(例如，相反)信号路径上将所述信号远离所述耦合点传播到所述群组的其它半导体装置。与例如在群组的末端处的半导体装置(例如，堆叠的最低半导体装置、所述堆叠的最高半导体装置等)处具有耦合点且从所述耦合点提供信号相比，从所述中间半导体装置处的所述耦合点到所述群组的其它半导体装置的负载可能更加平衡。更加平衡的拓扑可减少信号到达所述半导体装置中的每一者的时间之间的时序差异。

技术领域

本公开涉及存储器装置，且特定来说涉及用于耦合多个半导体装置的设备及方法。

背景技术

近年来，已引入三维(3D)存储器装置。一些3D存储器装置是通过垂直地堆叠裸片且使用穿硅(或穿衬底)通路(TSV)及/或引线接合耦合裸片而形成。因此，3D存储器也可被称为“堆叠式存储器”。3D存储器可提供比非3D存储器更大的存储器容量及/或更高的带宽而面积增加更少。实例3D存储器装置包含混合存储器立方体(HMC)、高带宽存储器(HBM)及主从式存储器(MSM)，其中的每一者可包含在堆叠中彼此耦合的多个动态随机存取存储器(DRAM)裸片。

存储器装置可经耦合到将命令、地址及数据信号提供到堆叠式裸片以存取存储器的外部电路。堆叠式裸片通常在最低高度裸片处耦合到外部电路，其中级联接合向上连接到所述堆叠中的其余裸片。

然而，随着存储器速度的增加，到达所述堆叠中的最低高度裸片与最高高度裸片的信号之间的延迟变得不可忽略。通常通过基于最坏情况(即，所述堆叠中的最高高度裸片处的信号到达时间)设置存储器装置的操作时序来适应到达信号的时序差异。这种方法可能导致存储器装置的性能降低。另外，随着存储器速度继续增加，从所述堆叠中的最低裸片到最高裸片的信号到达时间的时序差异对于所要系统性能可能不再是可容忍的。

发明内容

根据本公开的一方面，公开一种设备。所述设备包括：多个存储器装置，其包含第一、第二及第三存储器装置，所述第一存储器装置包含第一接合垫，所述第二存储器装置包含第二接合垫，所述第三存储器装置包含第三接合垫，所述第二存储器装置经安置在所述第一与第三存储器装置之间；第一导体，其经耦合到所述第一及第二接合垫；第二导体，其经耦合到所述第二及第三接合垫；及第三导体，其经耦合到所述第二接合垫且经配置以将信号提供到所述第二接合垫，其中所述第一导体以第一信号时序将所述信号从所述第二接合垫提供到所述第一接合垫且所述第二导体以等于所述第一信号时序的第二信号时序将所述信号从所述第二接合垫提供到所述第三接合垫。

根据本公开的另一方面，提供一种多裸片装置。所述多裸片装置包括：衬底，其包含导电信号线；半导体装置堆叠，其经附接到所述衬底；及导体，其经耦合到所述衬底的导电信号线且到所述半导体装置堆叠的中间半导体装置的接合垫。

根据本公开的又一方面，提供一种设备。所述设备包括：半导体装置堆叠，其包含最低半导体装置、最高半导体装置及安置在所述最低与最高半导体装置之间的至少一个中间半导体装置；多个导体，其经耦合到所述堆叠的所述半导体装置的接合垫；及源导体，其经耦合到所述至少一个中间半导体装置中的一者的接合垫处的耦合点，其中所述多个导体中的第一及第二者还经耦合到所述至少一个中间半导体装置中的一者的所述接合垫。

根据本公开的又一方面，提供一种方法。所述方法包括：将信号提供到半导体装置堆叠的中间半导体装置，所述中间半导体装置经安置在也包含在所述半导体装置堆叠中第一与第二半导体装置之间；通过耦合到所述中间半导体装置及所述第一半导体装置的第一信号路径将所述信号远离所述中间半导体装置传播到所述第一半导体装置；及通过耦合到所述中间半导体装置及所述第二半导体装置的第二信号路径将所述信号远离所述中间半导体装置传播到所述第二半导体装置。

附图说明

图1是展示多裸片装置的图。

图2是根据本公开的实施例的半导体装置的框图。