[发明专利]基于开口环谐振器的增益可调射频衰减装置有效
申请号: | 202110651726.1 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113422184B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 陈志强;田文超;辛菲;王永坤;陈勇;冯学贵 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 开口 谐振器 增益 可调 射频 衰减 装置 | ||
1.一种基于开口环谐振器的增益可调射频衰减装置,包括:基板(1)、射频输入结构(7)、射频输出结构(8)和温控器(9),其特征在于:
所述射频输入结构(7)和射频输出结构(8)沿着基板(1)上表面的一个对角线呈中心对称分布;
所述温控器(9),其由加热台(91)和温度传感器(92)组成,加热台(91)紧贴在基板(1)的下表面,温度传感器(92)紧贴在加热台(91)的上表面,通过加热台(91)与温度传感器(92)准确控制基板(1)的温度;
所述基板(1),其上表面中间有中心点重合的内部开口环(4)和外部开口环(2),且内部开口环的开口(5)和外部开口环的开口(3)沿着基板(1)上表面的另一个对角线呈中心对称分布,该内部开口环(4)和外部开口环(2)生成谐振电感,该两个开口(5,3)生成谐振电容,用于控制谐振器的频率;
所述两个开口环(4,2)之间设有VO2环(6),该VO2环(6)的中心点与两个开口环(4,2)中心点重合,用于生成谐振电阻,控制谐振器的增益。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述射频输入结构(7)由T型平板(71)与圆弧板(72)垂直连接构成,T型平板(71)用于连接网络分析仪的输入端以输入激励信号,圆弧板(72)用于激发由两个开口环(4,2)构成的谐振器,
所述射频输出结构(8)与射频输入结构(7)相同,其由T型平板(81)和圆弧板(82)垂直连接构成,圆弧板(82)用于接收由两个开口环(4,2)构成的谐振器的输出信号,T型平板(81)用于连接网络分析仪的输出端以输出检测信号。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于:所述两个圆弧板(72,82)的弧度θ为30°~60°,宽度wp为300~800微米,且该两个圆弧板(72,82)的中心点与两个开口环(4,2)的中心点重合,以保证圆弧板(72)与开口环(2)之间的输入信号、圆弧板(82)与开口环(2)之间的输出信号处处相等。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述内部开口环(4)的内径ri为1~5毫米,宽度wi为0.3~0.8毫米;
所述VO2环(6)的内径rm为ri与wi之和,宽度wm比wi大50~100微米;
所述外部开口环(2)的内径ro比rm与wm之和小25~50微米,宽度wo与wi一致。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述内部开口环的开口(5),其间隙di与内部开口环(4)的宽度wi一致;
所述外部开口环的开口(3),其间隙do与外部开口环(2)的宽度wo一致。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述基板(1)采用二氧化硅或氮化硅绝缘材料,或表面沉积二氧化硅、氮化硅绝缘材料的硅材料,其形状为正方形,厚度hc为0.5~1毫米。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述两个开口环(4,2)、射频输入结构(7)与射频输出结构(8)均采用金或银或铜金属材料,其厚度tm均为0.1~1微米。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述VO2环(6)通过脉冲激光沉积法沉积至基板(1)的上表面,其厚度ti为0.1~1微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110651726.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维封装相变散热装置
- 下一篇:一种水溶性双键淀粉酯的制备方法