[发明专利]用于为非易失性存储器改善对于数据保持的功率的读取刷新在审
申请号: | 202110649090.7 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN114927153A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | R·库马尔;D·杜塔;V·B·尚塔库马尔 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04;G11C7/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 改善 对于 数据 保持 功率 读取 刷新 | ||
1.一种装置,包括:
多个存储器单元,所述多个存储器单元中的每一者连接到多个字线中的一者并且被布置在多个块中的一者中,并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一者的阈值电压,所述多个存储器单元能够在第一读取状况和第二读取状况中的一者下操作,在所述第一读取状况下,所述多个字线的字线电压放电,在所述第二读取状况下,所述多个字线的所述字线电压耦合上升到残余电压电平;以及
控制电路,所述控制电路耦合到所述多个字线并被配置为:
确定其中所述多个存储器单元处于所述第一读取状况的所述装置的上电事件,以及
基于至少一个数据保持因子以多个指定间隔中的一者针对所述多个块中的每一者周期性地将预定刷新读取电压施加到所述多个字线中的选定一者持续预定时间段,以响应于确定所述装置的所述上电事件而将所述多个块的所述多个存储器单元保持在所述第二读取状况。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个数据保持因子包括所述多个存储器单元的管芯温度,所述装置还包括温度传感器,所述温度传感器与所述控制电路通信并且被配置为测量所述多个存储器单元的所述管芯温度:以及刷新频率和温度查找表,所述刷新频率和所述温度查找表包括所述多个指定间隔,每个指定间隔对应于所述管芯温度的多个量值中的一者,并且所述控制电路被进一步配置为:
使用所述温度传感器来确定所述多个存储器单元的所述管芯温度;以及
基于所述刷新频率和所述温度查找表来确定和利用所述多个指定间隔中的一者。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述控制电路还包括被配置为在读取所述多个存储器单元时确定和校正错误的纠错码引擎,所述至少一个数据保持因子包括与读取所述多个存储器单元的至少一个子集相关联的失效位计数,并且所述控制电路被进一步配置为:
读取所述多个存储器单元的至少所述子集;
使用所述纠错码引擎来确定所述多个存储器单元的至少所述子集的所述失效位计数;
确定所述失效位计数是否超过预定失效位计数阈值;以及
响应于所述失效位计数超过所述预定失效位计数阈值,针对所述多个块中的每一者将所述预定刷新读取电压施加到所述多个字线中的所述选定一者持续所述预定时间段。
4.根据权利要求3所述的装置,其中针对所述多个存储器单元中的每一者可能的所述阈值电压跨越阈值窗口,所述多个存储器单元中的每一者被配置为存储多个位,所述多个数据状态包括在所述阈值窗口的第一端处的擦除状态以及各自对应于高于与所述擦除状态相关联的所述阈值电压的所述阈值电压的多个编程数据状态,所述多个编程数据状态包括在所述阈值窗口的与所述第一端相对的第二端处并且与高于与所述擦除状态相关联的所述阈值电压的所述阈值电压相关联的一个或多个较高数据状态,以及所述多个编程数据状态中的至少一个其他状态,存储在所述多个存储器单元中的数据存储在多个页中,所述多个页分别与由所述多个存储器单元中的每一者存储并且根据所述多个数据状态的编码方案来进行编码的所述多个位中的每一者相关联,所述多个存储器单元的至少所述子集包括所述多个页中的至少一页,并且其中所述控制电路被进一步配置为:
基于所述多个页中的所述至少一页中的哪个页与所述一个或多个较高数据状态相关联来选择所述多个页中的所述至少一页;
读取存储在所述多个页中的所述至少一页中的所述数据;以及
使用所述纠错码引擎来确定所述多个页中的所述至少一页的所述失效位计数。
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