[发明专利]一种低功耗三维阻变存储器在审
| 申请号： | 202110647502.3 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113421963A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;陈青钰;王宗巍;张霜杰;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 三维 存储器 | ||
1.一种低功耗三维阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的三维阻变存储器和隔离介质，所述三维阻变存储器的层数≥2；其特征在于，所述三维阻变存储器的单个器件的结构由下至上依次为下层电极、阻变薄膜、石墨烯阻挡层和上层电极，或者为下层电极、石墨烯阻挡层、阻变薄膜和上层电极，即石墨烯阻挡层位于阻变薄膜与上层电极或下层电极之间，且所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，通过化学气相淀积法制备石墨烯薄膜，然后将石墨烯薄膜通过湿法转移的方式转移至样品上，获得所述石墨烯阻挡层。
3.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述石墨烯阻挡层的厚度为单层至20nm范围内。
4.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述石墨烯阻挡层存在孔径约为10nm的纳米缺陷孔，密度约为1/μm2。
5.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述上层电极和下层电极采用下述材料中的一种或多种：W、Pt、Au、Al、Cu、Ag、Ni和TiN。
6.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述上层电极和下层电极的厚度为10～200nm。
7.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述阻变薄膜采用氧化物或有机材料。
8.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述阻变薄膜的厚度为5～50nm。
9.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述衬底为硬质衬底或柔性有机衬底，或者是不同材质衬底组成的复合衬底。
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