[发明专利]一种D波段环行器有效
| 申请号： | 202110646598.1 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113690556B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 汪晓光;畅甲维;王正华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/387 | 分类号： | H01P1/387 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波段 环行器 | ||
【权利要求书】：
1.一种D波段环行器，该环行器采用三端口结构，包括：位于环形器中心的铁氧体中心结、与铁氧体中心结相连且形成“Y”型结构的三个基片集成波导；
三个基片集成波导各自对应环形器的三个端口，三个基片集成波导结构相同，各基片集成波导上均设有从端部位置沿基片集成波导长度方向延伸至铁氧体中心结的凹槽；凹槽靠近铁氧体中心结处的侧壁与铁氧体中心结不接触；
所述铁氧体中心结为圆柱体；铁氧体中心结上施加一方向垂直于环行器的偏置磁场。
2.根据权利要求1所述一种D波段环行器，其特征在于：所述凹槽与铁氧体中心结之间间隙为0.01～0.04mm。
3.根据权利要求1所述一种D波段环行器，其特征在于：所述铁氧体中心结的半径R为0.22～0.24mm，铁氧体中心结的厚度与基片集成波导厚度相等。
4.根据权利要求2所述一种D波段环行器，其特征在于：所述基片集成波导的尺寸参数为：w＝1.4～1.42mm，D＝0.18～0.2mm，p＝0.24～0.25mm，t＝0.18～0.2mm，t1＝0.01～0.02mm，h1＝0.08～0.1mm，w1＝0.25～0.29mm；其中w表示基片集成波导的宽度，D表示金属化通孔直径，p表示相邻两通孔间距，t表示介质基板厚度，t1表示金属层厚度，h1表示凹槽高度，w1表示凹槽的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110646598.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
