[发明专利]微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板有效
申请号: | 202110645839.0 | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113394137B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 李蒙蒙;盛翠翠;董小彪;葛泳;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L23/544;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 装置 方法 显示 面板 | ||
1.一种微发光器件的转印装置,其特征在于,包括:
拾取基板,用于接收待转移的微发光器件,所述拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层,所述第一粘接层背离所述第一本体的表面具有用于与所述微发光器件对位的第一对位标记;
目标基板,用于接收从所述拾取基板转移的所述微发光器件,所述目标基板和所述拾取基板相对可移动设置,所述目标基板包括层叠设置的第二本体及用于粘接所述微发光器件的第二粘接层;
激光器,用于发射激光以使所述微发光器件由所述第一粘接层脱落;
垫高块,用于保证所述拾取基板和所述目标基板之间的间距,所述垫高块设置于所述第二粘接层。
2.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第二粘接层背离所述第二本体的表面具有用于与所述微发光器件对位的第二对位标记。
3.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第二对位标记呈凹槽状并用于容纳所述微发光器件;或者,所述第二对位标记呈环状并用于环绕所述微发光器件。
4.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第二对位标记和所述微发光器件一一对应设置。
5.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第二对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
6.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,至少部分所述第一对位标记和至少部分所述第二对位标记的位置相对应。
7.根据权利要求6所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第一对位标记和所述第二对位标记的个数相等。
8.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,
所述第一对位标记呈凹槽状并用于容纳所述微发光器件;或者,所述第一对位标记呈环状并用于环绕所述微发光器件。
9.根据权利要求8所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第一对位标记和所述微发光器件一一对应设置。
10.根据权利要求8所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第一对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置,其特征在于,所述第一粘接层和/或所述第二粘接层的厚度为2μm~20μm。
12.一种微发光器件的转印方法,其特征在于,包括:
提供一种拾取基板,所述拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层,所述第一粘接层背离所述第一本体的表面具有第一对位标记;
根据所述第一对位标记将待转移的微发光器件粘接于所述第一粘接层表面;
提供一种目标基板,所述目标基板包括层叠设置的第二本体及第二粘接层;
令所述拾取基板和所述目标基板对位;
向所述拾取基板发射激光以使所述微发光器件由所述第一粘接层脱落并粘接于所述第二粘接层。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,在提供一种拾取基板的步骤之前还包括制备所述拾取基板,在制备所述拾取基板的步骤中:
将带有所述第一对位标记的所述第一粘接层设置于所述第一本体的表面形成所述拾取基板;
或者,在所述第一本体表面涂覆胶层,对所述胶层进行图案化处理形成所述第一对位标记。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第二粘接层具有第二对位标记,在令所述拾取基板和所述目标基板对位的步骤中:根据所述第一对位标记和所述第二对位标记令所述拾取基板和所述目标基板对位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110645839.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种矿山安全用震源定位设备
- 下一篇:一种变压器瞬态过电流信号监测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造