[发明专利]驱动发光单元的驱动电路在审

专利信息
申请号: 202110644216.1 申请日: 2021-06-09
公开(公告)号: CN113889026A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 桥本和幸 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/3233
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;臧建明
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 驱动 发光 单元 电路
【权利要求书】:

1.一种驱动电路,用以驱动发光单元,其特征在于,所述驱动电路包括:

驱动晶体管,包括栅极端、源极端及漏极端;

补偿晶体管,包括电连接至所述驱动晶体管的所述栅极端的栅极端、源极端及电连接至所述驱动晶体管的所述栅极端的漏极端;以及

开关晶体管,包括栅极端、源极端及连接至所述补偿晶体管的所述源极端的漏极端。

2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动晶体管包括并联的多个子晶体管,其中所述多个子晶体管具有相同的信道尺寸,且所述多个子晶体管中的至少一个与所述补偿晶体管具有相同的信道尺寸。

3.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括:

重置晶体管,与所述驱动晶体管的所述栅极端电连接;以及

第一发光晶体管,与所述驱动晶体管的所述漏极端电连接。

4.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括:

选择单元,用于选择驱动电压和参考电压中的一者电连接至所述驱动晶体管的所述源极端,其中所述选择单元包括:

选择发光晶体管,包括栅极端、与所述驱动电压电连接的源极端及与所述驱动晶体管的所述源极端电连接的漏极端;

选择重置晶体管,包括栅极端、与所述参考电压电连接的源极端及与所述选择发光晶体管的所述漏极端电连接的漏极端;以及

选择开关晶体管,包括栅极端、与所述参考电压电连接的源极端及与所述选择重置晶体管的所述漏极端电连接的漏极端,其中所述参考电压与所述驱动电压具有相同的电压值。

5.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括:

第一控制晶体管,包括与所述补偿晶体管的所述漏极端电连接的漏极端、与所述补偿晶体管的所述栅极端电连接的源极端及与所述开关晶体管的所述栅极端电连接的栅极端;

第二控制晶体管,包括与所述第一控制晶体管的所述源极端电连接的漏极端、与所述第一控制晶体管的所述栅极端电连接的源极端及与所述第二控制晶体管的所述漏极端电连接的栅极端;以及

存储电容,连接在所述驱动晶体管的所述栅极端和所述驱动晶体管的所述源极端之间。

6.根据权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,还包括:

第二发光晶体管,包括栅极端、与所述补偿晶体管的所述漏极端电连接的源极端及与所述第一发光晶体管的所述漏极端电连接的漏极端;

第三发光晶体管,包括栅极端、与驱动电压电连接的源极端及与所述补偿晶体管的所述源极端电连接的漏极端;

另一开关晶体管,包括栅极端、与所述补偿晶体管的所述漏极端电连接的源极端及与所述补偿晶体管的所述栅极端电连接的漏极端;

存储电容,连接在所述驱动晶体管的所述栅极端和所述驱动晶体管的所述源极端之间;以及

选择单元,用于将所述驱动电压与参考电压的一者电连接至所述驱动晶体管的所述源极端;其中所述选择单元包括:

选择发光晶体管,包括栅极端、与所述驱动电压电连接的源极端及所述驱动晶体管的所述源极端电连接的漏极端;

选择重置晶体管,包括栅极端、与所述参考电压电连接的源极端及与选择节点电连接的漏极端;以及

选择开关晶体管,包括栅极端、与所述参考电压电连接的源极端及与所述驱动晶体管的所述源极端电连接的漏极端,其中所述参考电压与所述驱动电压具有相同的电压值。

7.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动晶体管、所述补偿晶体管及所述开关晶体管为相同导电类型的晶体管。

8.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,还包括数据线,其中所述开关晶体管的所述源极端与所述数据线电连接。

9.根据权利要求1所述的驱动电路,其中所述发光单元包括发光二极管。

10.根据权利要求1所述的驱动电路,其中所述驱动晶体管的阀值电压值和所述补偿晶体管的阀值电压值相同。

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