[发明专利]带接反保护的开路检测电路在审
| 申请号： | 202110644062.6 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113359063A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张超;牛智文;王雪艳 | 申请（专利权）人： | 赛卓电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/54 | 分类号： | G01R31/54;G01R1/36 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 祁春倪;郭国中 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带接反 保护 开路 检测 电路 | ||
1.一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，包括防接反PMOS管、耗尽型NMOS管以及负压产生电路，其中：
所述防接反PMOS的输入为外部输入电压VIN，并输出电压信号VD至耗尽型NMOS管；
所述耗尽型NMOS管的输入为负压产生电路输出电压VG，输出信号VS经调节输出电压VOUT；
所述负压产生电路的输入电压信号EN为使能信号，负压产生电路的输出电压VG控制耗尽型NMOS管通断。
2.根据权利要求1提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，所述防接反PMOS管包括低导通电压PMOS管PM1，其中：
所述低导通电压PMOS管PM1的栅极与源极与耗尽型NMOS管连接，漏极与外部输入电压VIN连接。
3.根据权利要求2提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，所述耗尽型NMOS管包括NMOS管NM1、电阻R1以及电阻R2，其中：
所述NMOS管NM1的栅极连接电阻R1的一端，NMOS管NM1的漏极连接电阻R1的另一端、第一NMOS管NM1的栅极和漏极，NMOS管NM1的源极连接电阻R2的一端。
4.根据权利要求3提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，所述PMOS管PM1的栅极、源极与耗尽型NMOS管的漏极相连构成二极管结构。
5.根据权利要求4提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，
出现反接情况时，PMOS管PM1栅极、源极短接使其源漏端电压大于0时，检测电路处于截止状态；
未出现反接情况时，PMOS管PM1源漏端电压小于0并且其绝对值大于PM1体二极管正向导通压降时，体二极管导通。
6.根据权利要求4提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，第一NMOS管NM1的栅极连接负压产生电路模块的输出电压VG，芯片正常工作时，负压产生电路输出负压使NM1截止，芯片发生开路时，负压产生电路模块失效，第一PMOS管PM1的输出电压VD经第一电阻R1产生电压VG使第一NMOS管NM1导通。
7.根据权利要求6提供的一种带接反保护的开路检测电路，其特征在于，NM1源端电压经第二电阻R2将输出电压VOUT拉高使输出电压VOUT不低于4.75V。
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