[发明专利]一种基于SAW和IPD的晶圆级混合封装模组及方法

说明书

本发明提供了一种基于SAW和IPD的晶圆级混合封装模组及方法，通过晶圆级混合封装技术，将SAW和IPD封装成双工器，实现多种频段的天线共用，从而达到减少天线使用数量来节约空间。模组包括：第一滤波器，第一滤波器在第一频段对接收到的信号滤波；第二滤波器，第二滤波器在不同于第一频段的第二频段对接收到的信号进行滤波；有机组件和模塑料，滤波器设置于模塑料内，膜塑料为第一滤波器提供第一空间，模塑料为第二滤波器提供不同于第一空间的第二空间；模塑料与有机组件连接，滤波器的信号焊盘穿过有机组件向外形成有外部引脚。

技术领域

本发明属于混合封装领域，具体来说是一种基于SAW和IPD的晶圆级混合封装模组及方法。

背景技术

随着5G通信技术的飞速发展，对封装的集成度和灵活性要求也越来越高。此现象在手机上表现尤为明显。伴随着5G技术普及，5G手机以及电子产品制造商需要在本就紧凑的空间中安置更多的天线。众所周知，小型化、便捷式式几乎是现在所有手机和电子产品的趋势。然后，5G时代的到来给本就紧凑的空间带来又一大难题。

常用的滤波器设计是基于SAW(声表面波滤波器)或者IPD(集成无源器件滤波器)技术中的一种来设计，常见的系统级封装滤波器模组也是多个同种技术的滤波器的集成。由于传统使用的SAW和IPD，是SAW芯片和IPD芯片分开的单独封装的产品，不仅占用的空间多，导致空间利用率不高，而且封装周期较长。

滤波器各自的优势不同，SAW滤波器性能稳定、频段宽，是1.6GHz以下的主流应用，但有插损大、处理高频信号发热严重等问题，因此在处理1.6GHz以上的高频信号时适用性较差；IPD滤波器可用于中低高频段，插损低、带宽较宽，但却存在Q值(品质因数)低，带外抑制差的缺点。

滤波器材料不同，SAW滤波器基于钽酸锂LiTaO3或铌酸锂LiNbO3制作，BAW滤波器基于氮化铝AlN或氧化锌ZnO制作，而IPD滤波器基于高阻硅HR-Si制作；滤波器工作所需的条件不同，SAW滤波器需要在封装内形成空腔结构来保证声表面波的传播，而IPD滤波器不涉及声波技术，封装上要求不高。且滤波器工作时会互相干扰，对性能影响较大。基于这些原因，滤波器设计都是基于SAW、IPD中的一种技术来设计，系统级封装滤波器模组中多个滤波器也是基于同一种技术，但这种方式难以充分各种类型的滤波器的优势。

发明内容

为了克服现有技术中所存在的不足，本发明提供了一种基于SAW和IPD的晶圆级混合封装模组及方法，通过晶圆级混合封装技术，将SAW和IPD封装成双工器，实现多种频段的天线共用，从而达到减少天线使用数量来节约空间。

本发明的一个技术方案提供了基于SAW和IPD的晶圆级混合封装模组，所述模组包括：

第一滤波器，所述第一滤波器在第一频段对接收到的信号滤波；

第二滤波器，所述第二滤波器在不同于第一频段的第二频段对接收到的信号进行滤波；

有机组件和模塑料，所述滤波器设置于模塑料内，所述膜塑料为所述第一滤波器提供第一空间，所述模塑料为所述第二滤波器提供不同于第一空间的第二空间；

所述模塑料与所述有机组件连接，所述滤波器的信号焊盘穿过所述有机组件向外形成有外部引脚。

优选地，所述第一滤波器为声表面波滤波器，所述第一滤波器与所述有机组件之间形成有闭合的空腔，所述空腔介于所述第一滤波器的多个所述信号焊盘之间。

优选地，所述空腔的横截面为矩形，且矩形的长宽比值在5:4-4:3之间。

优选地，所述第一滤波器的信号焊盘的高度与所述模塑料的高度之比在1:5-1:4之间。

优选地，所述第二滤波器为集成无源器件滤波器，所述第二滤波器通过信号焊盘与所述有机组件连接，所述信号焊盘穿过所述有机组件向外形成有外部引脚。