[发明专利]高效重分布层拓扑结构在审
申请号: | 202110642455.3 | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113782508A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | V·S·斯里德哈兰;C·D·曼纳克;J·刘 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效 分布 拓扑 结构 | ||
1.一种芯片级封装即CSP,所述CSP包括:
半导体管芯;
邻接所述半导体管芯的钝化层;
延伸通过所述钝化层的通孔;
邻接所述通孔的第一金属层;
邻接所述第一金属层的绝缘层,所述绝缘层具有小于32400平方微米的最大水平面积的孔口;和
邻接所述绝缘层并适于耦合到焊球的第二金属层,所述第二金属层在由所述绝缘层中的所述孔口限定的接触点处邻接所述第一金属层。
2.根据权利要求1所述的CSP,其中:
所述钝化层具有第一钝化层表面和与所述第一钝化层表面相对的第二钝化层表面,
所述通孔具有第一通孔表面和与所述第一通孔表面相对的第二通孔表面,以及
所述第一钝化层表面与所述第一通孔表面大致齐平,并且所述第二钝化层表面与所述第二通孔表面大致齐平。
3.根据权利要求1所述的CSP,其中所述最大水平面积小于350平方微米。
4.根据权利要求1所述的CSP,其中所述最大水平面积小于80平方微米。
5.根据权利要求1所述的CSP,所述CSP进一步包括:
延伸通过所述钝化层的第二通孔;和
邻接所述第二通孔的第三金属层,
其中所述绝缘层将所述第三金属层与所述第一金属层绝缘。
6.根据权利要求5所述的CSP,所述CSP进一步包括所述绝缘层中的第二孔口,所述第二孔口限定其中所述第三金属层邻接所述第二金属层的第二接触点。
7.根据权利要求5所述的CSP,其中所述绝缘层将所述第三金属层与所述第二金属层绝缘。
8.根据权利要求1所述的CSP,其中第一竖直平面穿过所述第一通孔和所述第二金属层两者,并且其中第二竖直平面穿过所述第二通孔和所述第二金属层两者。
9.根据权利要求1所述的CSP,其中所述孔口具有从由圆形、椭圆形、长圆形和多边形组成的组中选择的水平横截面形状。
10.一种电子器件,所述电子器件包括:
印刷电路板即PCB;
耦合到所述PCB的焊球;和
耦合到所述焊球的芯片级封装即CSP,所述CSP包括:
半导体管芯;
邻接所述半导体管芯的钝化层;
延伸通过所述钝化层的第一通孔,所述第一通孔具有分别与所述钝化层的第一表面和第二表面大致齐平的第一表面和第二表面;
延伸通过所述钝化层的第二通孔,所述第二通孔具有分别与所述钝化层的第一表面和第二表面大致齐平的第一表面和第二表面;
邻接所述第一通孔的第一金属层;
邻接所述第一金属层并具有第一孔口和第二孔口的绝缘层,所述第一孔口和第二孔口中的每个具有小于750平方微米的最大水平面积;
通过所述第一孔口邻接所述第一金属层的第二金属层;和
邻接所述第二通孔的第三金属层,所述第二金属层通过所述第二孔口邻接所述第三金属层,
其中所述第一通孔和第二通孔与所述第二金属层竖直对准。
11.根据权利要求10所述的电子器件,其中所述钝化层具有基本均匀的厚度。
12.根据权利要求10所述的电子器件,其中所述钝化层不邻接所述第一通孔的所述第一表面和所述第二表面,并且其中所述钝化层不邻接所述第二通孔的所述第一表面和所述第二表面。
13.根据权利要求10所述的电子器件,其中所述第一孔口和第二孔口具有不同的形状和大小。
14.根据权利要求10所述的电子器件,其中所述第一孔口和所述第二孔口中的每个具有250平方微米或更少的最大水平面积。
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