[发明专利]存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

多个字线层，堆叠在所述衬底上方；

多个绝缘层，分别与所述字线层交替地堆叠在所述衬底上方；以及

多个存储单元，与所述衬底的主表面垂直地沿着所述字线层与所述绝缘层的堆叠方向分布，其中所述存储单元中的每一者包括：

源极线电极与位线电极，沿着所述字线层及所述绝缘层在横向上对齐；

第一氧化物半导体层，被所述字线层中的一者、所述源极线电极及所述位线电极在外围环绕；以及

第二氧化物半导体层，设置在所述字线层中的所述一者与所述第一氧化物半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元中的每一者还包括设置在所述第二氧化物半导体层与所述字线层中的所述一者之间的高介电常数介电材料层。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一氧化物半导体层是由与所述第二氧化物半导体层不同的材料制成。

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括单元阵列区及至少一个阶梯区，其中所述至少一个阶梯区在横向上设置在所述单元阵列区的边缘处。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述字线层沿着延伸方向的横向长度从所述字线层中的最下方字线层到所述字线层中的最上方字线层逐渐减小。

6.一种存储阵列，包括：

衬底；

堆叠，设置在所述衬底上方，包括以交替方式进行堆叠的多个字线层与多个绝缘层；以及

单元阵列区，设置在所述堆叠中，包括分别沿着所述堆叠的堆叠方向设置的多个存储单元串，其中所述存储单元串中的每一者包括：

源极线电极带，与所述衬底的主表面垂直地延伸；

位线电极带，沿着所述堆叠方向在横向上与和所述衬底的所述主表面垂直地延伸的所述源极线电极带对齐；

第一氧化物半导体层，与所述衬底的所述主表面垂直地延伸，且被所述字线层、所述绝缘层、所述源极线电极带及所述位线电极带在外围环绕；以及

第二氧化物半导体层，设置在所述字线层与所述第一氧化物半导体层之间。

7.根据权利要求6所述的存储阵列，其中所述第一氧化物半导体层的载流子浓度介于10¹⁴cm^-3到10¹⁵cm^-3的范围内。

8.一种存储器件的制造方法，包括：

形成衬底；

在所述衬底上方交替地形成字线层与绝缘层；

形成与所述衬底的主表面垂直地延伸穿过所述字线层及所述绝缘层的隔离沟槽，以在所述隔离沟槽中容置多个单元区；以及

在所述单元区中分别形成多个存储单元，其中所述形成所述存储单元的步骤包括：

形成包括第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层的双重氧化物半导体层结构，包括：

沿着所述隔离沟槽的侧壁形成所述第二氧化物半导体层；

在所述第二氧化物半导体层上分别形成所述第一氧化物半导体层；

在所述第一氧化物半导体层上形成侧壁氧化物层；以及

形成沿着所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层延伸的源极线电极及位线电极，其中所述侧壁氧化物层分别被所述源极线电极、所述位线电极及所述第一氧化物半导体层环绕。

9.根据权利要求8所述的制造方法，还包括：在所述隔离沟槽中填充绝缘氧化物材料，以对设置在所述隔离沟槽的相对的侧处的每两个存储单元进行隔离。

10.根据权利要求8所述的制造方法，还包括：通过重复地对所述字线层及所述绝缘层进行修剪及刻蚀，形成阶梯区，所述阶梯区包括形成在所述字线层及所述绝缘层的横向端部处的多个台阶。