[发明专利]解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式

权利要求书

1.一种用于对经历相邻平面干扰条件的非易失性存储器结构的无缺陷存储器平面进行编程的对策方法，所述方法包括：

根据初始编程序列，发起当前编程状态的编程脉冲并且随后发起编程验证操作；

根据比特扫描通过失败标准，发起比特扫描模式；

根据所述比特扫描通过失败标准，一经确定存储器结构的第一存储器平面已完成当前编程状态的编程，确定所述存储器结构的全部存储器平面是否已完成所述当前编程状态的编程；

如果不是全部存储器平面都已完成所述当前编程状态的编程，则递增循环计数并确定所述循环计数是否超过预定阈值；

如果所述循环计数超过所述预定阈值：

则停止编程具有所述当前编程状态的未完成编程的一个或多个存储器平面；

通过以下来恢复具有所述当前编程状态的已完成编程的一个或多个存储器平面的编程：

暂时暂停所述循环计数和比特扫描模式；

根据所述初始编程序列，在下一个编程脉冲上施加预定回滚电压值以递减在所述编程脉冲期间原本预期的编程电压偏置电平；

一旦编程的阈值电压电平等于当所述循环计数最后递增时达到的编程电压偏置电平，就恢复所述循环计数和比特扫描模式；

对于每个编程的状态应用所述比特扫描通过失败标准；以及

根据所述比特扫描通过失败标准，仅在确定编程的状态未完成时才前进到下一个编程循环。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对于每个编程的状态应用所述比特扫描通过失败标准并且仅在确定编程的状态未完成时才前进到下一个编程循环仅发生在恢复所述循环计数和比特扫描模式之后的初始编程循环中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中对于每个编程的状态应用所述比特扫描通过失败标准并且仅在确定编程的状态未完成时才前进到下一个编程循环发生在恢复所述循环计数和比特扫描模式之后的每个编程循环中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中预定阈值循环计数值指示所述相邻平面干扰条件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中根据分辨率和效率参数优化所述预定回滚电压值。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定回滚电压值与在以下至少一者期间发生的所述编程电压偏置电平上的步长增加相关联：

两个编程循环；

四个编程循环；以及

八个编程循环。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程验证操作是TLC型编程序列的阶段。

8.一种存储器控制器，包括：

第一端口，配置为耦接到非易失性存储器，存储器包括存储器结构；并且

所述存储器控制器配置为在经历相邻平面干扰条件的所述存储器结构的编程期间进行对策，包括：

根据初始编程序列，发起当前编程状态的编程脉冲并且随后发起编程验证操作；

根据比特扫描通过失败标准，发起比特扫描模式；

根据所述比特扫描通过失败标准，一经确定所述存储器结构的第一存储器平面已完成当前编程状态的编程，则确定所述存储器结构的全部存储器平面是否已完成所述当前编程状态的编程；

如果不是全部存储器平面都已完成所述当前编程状态的编程，则递增循环计数并确定所述循环计数是否超过预定阈值；

如果所述循环计数超过所述预定阈值：

则停止具有所述当前编程状态的未完成编程的一个或多个存储器平面的编程；

通过以下来恢复编程具有所述当前编程状态的已完成编程的一个或多个存储器平面：

暂时暂停所述循环计数和比特扫描模式；

根据所述初始编程序列，在下一个编程脉冲上施加预定回滚电压值以递减所述编程脉冲期间原本预期的编程电压偏置电平；

一旦编程的阈值电压电平等于当所述循环计数最后递增时达到的编程电压偏置电平，就恢复所述循环计数和比特扫描模式；

对每个编程的状态应用所述比特扫描通过失败标准；以及

根据所述比特扫描通过失败标准，仅在确定编程的状态未完成时才前进到下一个编程循环。