[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110639928.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097058A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张静;许宗能 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底上形成有图案化光阻，所述图案化光阻具有暴露出所述基底的部分顶面的开口；
采用刻蚀工艺修整所述图案化光阻，以减薄所述图案化光阻，减小所述开口的深度，和/或，去除所述图案化光阻侧壁顶部的部分厚度，增大所述开口顶部的宽度；
以刻蚀后的所述图案化光阻为阻挡层，对所述基底执行离子注入工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀后的所述图案化光阻的厚度小于或等于2200埃。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入角度范围为大于0度且小于90度；其中，0度为垂直于所述基底的方向，90度为平行于所述基底的方向。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺中注入的离子包括N型离子或P型离子。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述基底执行离子注入工艺之后，所述半导体器件的制备方法还包括：
去除刻蚀后的所述图案化光阻；
对所述基底执行退火工艺。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述图案化光阻。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺温度范围为：400摄氏度~1300摄氏度。
8.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1~7中任一项所述的半导体器件的制备方法制备，包括：一基底以及形成于所述基底上的图案化光阻；
所述图案化光阻经刻蚀具有设定厚度，并且所述图案化光阻具有暴露出所述基底的部分顶面的开口，所述开口的顶部的宽度大于或等于所述开口底部的宽度；
所述基底内掺杂有离子，且以所述图案化光阻为阻挡层对所述基底执行的离子注入。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，经刻蚀的所述图案化光阻的设定厚度范围为：小于或等于2200埃。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述离子注入的注入角度范围为大于0度且小于90度；其中，0度为垂直于所述基底的方向，90度为平行于所述基底的方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成（北京）科技有限公司，未经晶芯成（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110639928.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
