[发明专利]一种射频滤波器件及其封装方法

说明书

本申请公开了一种射频滤波器件及其封装方法，该器件包括外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；第一键合滤波器包括第一基体、位于第一基体上表面的第一支撑电极、位于第一支撑电极上表面的第一键合电极；第二键合滤波器包括第二基体、位于第二基体下表面的第二键合电极，第二键合电极具有凹部；第一键合电极的横截面尺寸小于第一支撑电极的横截面尺寸且小于凹部的尺寸，第一键合电极通过凹部与第二键合电极键合；外引电极通过位于第二基体中的通孔与第二键合电极、第一键合电极、第二基体中的辅助键合电极电连接，以使外引电极与第一键合滤波器电连接。本申请可以降低射频滤波器件封装成本，提高生产效率和集成度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种射频滤波器件及其封装方法。

背景技术

随着电子设备工作频率的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，这些干扰频率很高的干扰信号导致辐射干扰的问题日益严重，射频滤波器件能对辐射干扰的高频信号产生较大的衰减，因此，射频滤波器件广泛应用在何种电子设备中，尤其是消费电子产品。

对于包括多芯片的射频滤波器件，目前在封装时一般先将单颗芯片各自单独封装后，再通过扇出型等封装方式将各自封装后的芯片再次封装，从而实现多芯片集成。由于需要进行多次封装，不仅导致封装成本高，而且使得封装周期较长、生产效率低；并且，现有的封装平面尺寸较大，使得射频滤波器件集成度较低。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种射频滤波器件及其封装方法，以降低封装成本，提高生产效率和器件的集成度。

为解决上述技术问题，本申请提供一种射频滤波器件，包括：外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；

所述第一键合滤波器包括第一基体、位于所述第一基体上表面的第一支撑电极、位于所述第一支撑电极上表面的第一键合电极；所述第二键合滤波器包括第二基体、位于所述第二基体下表面的第二键合电极，所述第二键合电极具有凹部；

所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸且小于所述凹部的尺寸，所述第一键合电极通过所述凹部与所述第二键合电极键合；

所述外引电极通过位于所述第二基体中的通孔与所述第二键合电极、所述第一键合电极、所述第二基体中的辅助键合电极电连接，以使所述外引电极与所述第一键合滤波器电连接。

可选的，当所述第一键合电极与所述第二键合电极采用共熔键合方式键合时，还包括：

位于所述第二键合电极外侧的限制电极；

相应的，所述第二键合电极包括由下至上叠加的且分别具有凹部的第一键合子电极和第二键合子电极，且所述第一键合子电极和所述第二键合子电极材料不同。

可选的，所述限制电极位于所述第二键合电极的四周。

可选的，所述第一键合子电极的厚度大于2微米。

可选的，所述第二键合子电极的厚度大于5微米。

可选的，所述第一键合电极与所述第二键合电极采用热压键合方式键合。

可选的，所述第二键合滤波器的数量为多个，且多个所述第二键合滤波器依次层叠。

本申请还提供一种射频滤波器件封装方法，包括：

获取第一基体，并在所述第一基体的上表面制作第一支撑电极；

在所述第一支撑电极的上表面制作第一键合电极；所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸；