[发明专利]单晶硅异质结太阳能电池和太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

由内至外依次设置的基材、透明导电氧化物层和种子层，所述种子层作为栅线电极图案；

导电层，设于所述种子层上，作为与所述电极图案对应的电极；

其中，所述种子层的扩散能力低于所述导电层的扩散能力，用于阻止其上的所述导电层扩散至所述透明导电氧化物层。

2.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述导电层包括：

铜层，设于所述种子层上；所述种子层的成分包括以下中的至少一种：

镍或镍合金、钛或钛合金、钛钨合金，及银或银铜合金。

3.根据权利要求2所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：

非导电介质膜层，设于所述透明导电氧化物层上，所述非导电介质膜层覆盖所述透明导电氧化物层和所述种子层；

其中，所述非导电介质膜层的成分包括以下中的至少一种：

氧化硅、氮化硅、氧化铝。

4.根据权利要求3所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述种子层对应的所述非导电介质膜层上设有使所述种子层裸露的开口；

所述铜层设于所述开口中。

5.根据权利要求4所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，

所述开口的宽度小于所述种子层的宽度；

一部分所述铜层嵌设于所述开口中，其余部分所述铜层的宽度不小于所述开口的宽度，且不大于所述种子层的宽度。

6.根据权利要求3所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述非导电介质膜层的厚度范围为：大于等于且小于等于

7.根据权利要求2所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述导电层还包括：

锡层，设于所述非导电介质膜层上且覆盖所述铜层；

其中，所述锡层的厚度范围为：大于等于1um且小于等于3um。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，

所述种子层的厚度范围为：大于等于2um且小于等于10um；

所述铜层的厚度范围为：大于等于5um且小于等于15um。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述基材包括：

硅基片；

非晶硅叠层，设于所述硅基片上，位于所述硅基片和所述透明导电氧化物层之间。

10.一种单晶硅异质结太阳能电池的制作方法，用于制作如权利要求1至9中任一项所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

在基材上形成透明导电氧化物层；

在所述透明导电氧化物层上印刷种子层，作为栅线电极图案；

在所述透明导电氧化物层和所述种子层上沉积非导电介质膜层；

在所述非导电介质膜层上开口，以使至少部分所述种子层裸露；

在所述开口处镀铜，以形成填充所述开口的铜层；

形成覆盖所述铜层的锡层，作为与所述电极图案对应的电极，以得到所述单晶硅异质结太阳能电池。