[发明专利]一种脱除三甲基氯硅烷中甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的方法

权利要求书

1.一种脱除三甲基氯硅烷中甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的方法，其特征是，包含硅氢加成反应、部分酯化反应和完全酯化反应三部分；首先含甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的三甲基氯硅烷的混合物与硅氢加成反应物加入反应器进行硅氢加成反应，反应后的产物进入分离系统，采用蒸馏或精馏方式，将过剩的反应物、硅氢加成产物进行分离，剩余三甲基氯硅烷和四氯化硅混合物；而后加入低碳醇作为酯化剂将混合物中的四氯化硅进行部分酯化反应，反应后的产物进入分离系统，采用精馏方式，分离出四氯化硅部分酯化产物，从而得到纯化的三甲基氯硅烷；最后再将部分酯化产物进一步完全酯化为有价值的四烷氧基硅烷产品；

部分酯化反应和完全酯化反应所添加的低碳醇反应物为乙醇或丙醇；所述的硅氢加成反应，含有端位不饱和键的硅氢加成反应物为α烯烃/双烯烃,环烯烃,带有苯环的端位烯烃，含氮基团的端位不饱和键化合物，炔烃或卤素取代的端位烯烃。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述的部分酯化反应温度为30-100℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述的完全酯化反应先在30-50℃条件下加入低碳醇，再升高反应温度到90-100℃继续加入过量低碳醇使反应充分进行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是，硅氢加成反应的反应压力为0-2.0MPaG；反应温度为50-150℃。