[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

基材，所述基材上设置有沟槽，所述沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；

第二磁性材，位于所述沟槽的开口的上方；

所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一绝缘材，位于所述第一磁性材和所述第一金属材之间。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第二绝缘材，覆盖所述沟槽的开口并至少部分包覆所述第二磁性材。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第三绝缘材，位于所述第一磁性材的外表面与所述凹槽的内表面之间。

5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材的上表面和所述第二绝缘材的上表面共面，所述第二磁性材的上表面暴露在外。

6.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材和所述第一金属材之间存在间隔，所述间隔被所述第二绝缘材填充。

7.一种半导体封装装置的制造方法，包括：

在基材上形成沟槽；

在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材；

在所述沟槽上方形成第二绝缘材；

在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，其中，所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材，包括：

在所述沟槽内形成所述第三绝缘材；

在所述第三绝缘材的表面形成所述第一磁性材；

在所述第一磁性材的表面形成所述第一绝缘材；

在所述第一绝缘材的表面形成所述第一金属材。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述在所述沟槽上方形成第二绝缘材，包括：

通过抛光使所述基材、所述第三绝缘材、所述第一磁性材、所述第一绝缘材和所述第一金属材的上表面平齐；

在抛光后的所述上表面形成所述第二绝缘材。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，包括：

在所述第二绝缘材的表面形成开孔；

在所述开孔内形成所述第一磁性材；

通过抛光减小所述第二绝缘材的厚度，只保留位于所述开孔底部的所述第一磁性材。