[发明专利]一种基于单扰动一腔多模SIW的平衡带通滤波器

权利要求书

1.一种基于单扰动一腔多模SIW的平衡带通滤波器，其特征在于，包括四边形介质基板(1)，所述介质基板(1)下表面设有金属接地板(3)，介质基板(1)上表面设有金属层(2)、第一输入端口馈线(4)、第二输入端口馈线(5)、第一输出端口馈线(6)和第二输出端口馈线(7)，所述金属层(2)位于介质基板(1)中心；所述第一输入端口馈线(4)和第二输入端口馈线(5)位于介质基板(1)垂直中轴线AA’的一侧，一端与介质基板(1)的边缘连接，另一端与金属层(2)连接；所述第一输出端口馈线(6)和第二输出端口馈线(7)位于介质基板(1)垂直中轴线AA’的另一侧，一端与介质基板(1)的边缘连接，另一端与金属层(2)连接；

所述金属层(2)边界设有一圈金属化通孔构成SIW谐振腔(8)，所述金属化通孔贯穿金属层(2)、介质基板(1)和金属接地板(3)；所述SIW谐振腔(8)中设有中央金属微扰通孔(9)、金属微扰通孔组和端口金属微扰通孔，所有通孔均贯穿金属层(2)、介质基板(1)和金属接地板(3)；所述中央金属微扰通孔(9)位于SIW谐振腔(8)的中心，所述金属微扰通孔组位于介质基板(1)垂直中轴线AA’上并关于中央金属微扰通孔(9)对称，所述端口金属微扰通孔分布于金属微扰通孔组两侧；

所述第一输入端口馈线(4)包括第一输入50欧姆微带线导带(31)，所述第一输入50欧姆微带线导带(31)的一端与介质基板(1)的边缘连接形成第一输入端，另一端与SIW谐振腔(8)连接，另一端两侧与SIW谐振腔(8)存在间隙形成第一SIW共面波导转换结构(21)；

所述第二输入端口馈线(5)包括第二输入50欧姆微带线导带(32)，所述第二输入50欧姆微带线导带(32)的一端与介质基板(1)的边缘连接形成第二输入端，另一端与SIW谐振腔(8)连接，另一端两侧与SIW谐振腔(8)存在间隙形成第一SIW共面波导转换结构(21)；

所述第一输入端和第二输入端位于介质基板(1)的平行两边的一侧；

所述第一输出端口馈线(6)包括第一输出50欧姆微带线导带(33)，所述第一输出50欧姆微带线导带(33)的一端与介质基板(1)的边缘连接形成第一输出端，另一端与SIW谐振腔(8)连接，另一端两侧与SIW谐振腔(8)存在间隙形成第二SIW共面波导转换结构(22)；

所述第二输出端口馈线(7)包括第二输出50欧姆微带线导带(34)，所述第二输出50欧姆微带线导带(34)的一端与介质基板(1)的边缘连接形成第二输出端，另一端与SIW谐振腔(8)连接，另一端两侧与SIW谐振腔(8)存在间隙形成第二SIW共面波导转换结构(22)；

所述第一输出端和第二输出端位于介质基板(1)的平行两边的另一侧；

所述SIW谐振腔(8)呈王字形，SIW谐振腔(8)的宽度为a，高度为b＝21.2mm；所述第一输入端口馈线(4)呈L形，与介质基板(1)连接一端的宽度为wms，与SIW谐振腔(8)连接一端的宽度为wms₄＝1.05mm；第一SIW共面波导转换结构(21)中第一输入端口馈线(4)两侧与SIW谐振腔(8)之间间隙的宽度分别为ws₃＝0.42mm和ws₂＝0.4mm，第一输入端口馈线(4)和SIW谐振腔(8)连接处与SIW谐振腔(8)边界的水平距离为ls₃；第一输入端口馈线(4)和SIW谐振腔(8)连接处与介质基板(1)的水平中轴线BB’的垂直距离为dx＝2.7mm；第一输入端口馈线(4)和介质基板(1)连接处与SIW谐振腔(8)边界的水平距离为lms；第二输入端口馈线(5)和第一输入端口馈线(4)关于介质基板(1)的水平中轴线BB’对称；

所述第一输出端口馈线(6)呈L形，与介质基板(1)连接一端的宽度为wms，与SIW谐振腔(8)连接一端的宽度为wms₅＝1.05mm；第二SIW共面波导转换结构(22)中第一输出端口馈线(6)和SIW谐振腔(8)之间间隙的宽度为ws₂，第一输出端口馈线(6)和SIW谐振腔(8)连接处与SIW谐振腔(8)边界的水平距离为ls₂；第一输出端口馈线(6)和SIW谐振腔(8)连接处与介质基板(1)的水平中轴线BB’的垂直距离为dx₁＝2.7mm；第一输出端口馈线(6)和介质基板(1)连接处与SIW谐振腔(8)边界的水平距离为lms₁；第二输出端口馈线(7)和第一输出端口馈线(6)关于介质基板(1)的水平中轴线BB’对称；

所述端口金属微扰通孔包括第一端口金属微扰通孔(12)、第二端口金属微扰通孔(13)、第三端口金属微扰通孔(14)和第四端口金属微扰通孔(15)，所述第一端口金属微扰通孔(12)位于SIW谐振腔(8)靠近第一输入端口馈线(4)的一侧，所述第二端口金属微扰通孔(13)位于SIW谐振腔(8)靠近第二输入端口馈线(5)的一侧，所述第三端口金属微扰通孔(14)位于SIW谐振腔(8)靠近第一输出端口馈线(6)的一侧，所述第四端口金属微扰通孔(15)位于SIW谐振腔(8)靠近第二输出端口馈线(7)的一侧；

所述第一端口金属微扰通孔(12)与介质基板(1)的垂直中轴线AA’的垂直距离为l₁，与介质基板(1)的水平中轴线BB’的垂直距离为w₁；第一端口金属微扰通孔(12)和第二端口金属微扰通孔(13)关于介质基板(1)的水平中轴线BB’对称；

所述第三端口金属微扰通孔(14)与介质基板(1)的垂直中轴线AA’的垂直距离为l₂，与介质基板(1)的水平中轴线BB’的垂直距离为w₂；第三端口金属微扰通孔(14)和第四端口金属微扰通孔(15)关于介质基板(1)的水平中轴线BB’对称。