[发明专利]一种制备偏硼酸钡籽晶的方法

说明书

本说明书实施例提供一种制备偏硼酸钡籽晶的方法，该方法包括将原料按第一质量比混合均匀，原料包括碳酸钡和硼酸；将混合均匀的原料置于预合成装置中进行预合成操作，得到预合成粉体；将预合成粉体研磨至预设粒度；将研磨后的粉体和助熔剂按第二质量比混合均匀；将混合均匀后的粉体和助熔剂装入至少一个第一埚内；将至少一个第一埚置于第二埚内；将第二埚置于加热装置中进行熔化操作，得到粉体和助熔剂的熔体；通过多次调温操作，执行基于熔体的籽晶生长过程。

技术领域

本说明书涉及晶体生长领域，特别涉及一种制备偏硼酸钡籽晶的方法。

背景技术

通过提拉法生长偏硼酸钡晶体时，如果没有偏硼酸钡籽晶，通常需使用铂丝进行引晶。然而，铂丝引晶容易出现杂晶，且整体工艺复杂，影响制备偏硼酸钡晶体的品质。因此，有必要提供一种高效且便捷的制备偏硼酸钡籽晶的方法。

发明内容

本说明书实施例之一提供一种制备偏硼酸钡籽晶方法。所述方法包括：将原料按第一质量比混合均匀，所述原料包括碳酸钡和硼酸；将混合均匀的原料置于预合成装置中进行预合成操作，得到预合成粉体；将所述预合成粉体研磨至预设粒度；将研磨后的粉体和助熔剂按第二质量比混合均匀；将混合均匀后的粉体和助熔剂装入至少一个第一埚内；将所述至少一个第一埚置于第二埚内，其中，所述至少一个第一埚之间的间距处于预设距离区间；所述第二埚设置遮挡组件；将所述第二埚置于加热装置中进行熔化操作，得到所述粉体和所述助熔剂的熔体；通过多次调温操作，执行基于所述熔体的籽晶生长过程，其中，每次调温操作包括降温操作和恒温操作；所述多次调温操作分别对应的降温速率不同；所述多次调温操作分别对应的恒温时间不同。

在一些实施例中，所述助熔剂包括NaCl、Na₂O或NaF中的至少一种。

在一些实施例中，所述遮挡组件包括：设置于所述至少一个第一埚之间的分隔部件；或设置于所述第二埚顶部的埚盖。

在一些实施例中，所述加热装置包括至少一个加热模块，其中：所述至少一个加热模块分别对应所述至少一个第一埚；所述至少一个加热模块分别独立控制。

在一些实施例中，通过至少一个检测组件，检测所述熔化操作的相关信息；

根据所述相关信息，实时调整所述加热装置的加热参数。

在一些实施例中，在所述熔化操作或所述籽晶生长过程中，通过至少一个温度传感器，实时获取所述至少一个第一埚的温度分布；根据所述温度分布，调整所述加热装置的加热参数或所述至少一个第一埚的分布。

在一些实施例中，在所述籽晶生长过程中，通过至少一个监控组件，监测籽晶的生长情况；根据所述生长情况，调整所述多次调温操作中的至少一部分对应的降温速率和/或恒温时间。

在一些实施例中，在所述籽晶生长过程中，通过至少一个传感组件，实时获取所述遮挡组件的附着情况；根据所述附着情况，确定启动清理组件以进行清理或自动更换所述遮挡组件。

在一些实施例中，所述多次调温操作至少包括按顺序执行的第一调温操作、第二调温操作和第三调温操作，其中：所述第三调温操作的降温速率＞所述第一调温操作的降温速率＞所述第二调温操作的降温速率。

在一些实施例中，所述多次调温操作至少包括按顺序执行的第一调温操作、第二调温操作和第三调温操作，其中：所述第一调温操作的恒温时间＞所述第二调温操作的恒温时间＞所述第三调温操作的恒温时间。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性籽晶制备系统的示意图；

图2是根据本说明书一些实施例所示的示例性的制备偏硼酸钡籽晶的方法的流程图；