[发明专利]一种高频低功耗低抖动压控振荡器

权利要求书

1.一种压控振荡器，包括：

电感，配置为接收电源电压；

可变电容，与所述电感并联；

偏置模块，输入端配置为接收偏置输入信号，产生偏置输出信号；以及

负阻对，与所述电感和所述可变电容并联，配置为接收所述偏置输出信号，提供所述压控振荡器的输出信号；

其中所述负阻对包括

第一晶体管，其第一极耦合到所述可变电容的第一端和所述压控振荡器的第一输出端，其第二极接地，其控制极耦合到所述偏置模块的第一输出端；

第二晶体管，其第一极耦合到所述可变电容的第二端以及所述压控振荡器的第二输出端，其控制极耦合到所述第一晶体管的第一极以及所述偏置模块的第二输出端，其第二极接地；

第一电容，其耦合在所述第一晶体管的控制极和所述第二晶体管的第一极之间；

第二电容，其耦合在所述第二晶体管的控制极和所述第一晶体管的第一极之间；

其中所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极之间耦合有电容性支路，所述电容性支路的阻抗分别与所述第一晶体管和第二晶体管的寄生电容分压，从而降低所述压控振荡器的冲击敏感函数；

其中，除所述电容性支路外，所述第一晶体管的第二极仅通过第一电阻接地，和/或，所述第二晶体管的第二极仅通过第二电阻接地；

其中在所述压控振荡器工作频率范围内所述电容性支路的等效阻抗小于第一电阻或第二电阻的阻值。

2.如权利要求1所述的压控振荡器，其中所述电容性支路包括第三电容。

3.如权利要求2所述的压控振荡器，其中在所述压控振荡器工作频率范围内所述第三电容的阻抗小于第一电阻或第二电阻的阻值。

4.如权利要求1所述的压控振荡器，其中所述电容性支路包括彼此串联的第四电容和第五电容。

5.如权利要求4所述的压控振荡器，其中所述负阻对还包括一端耦合在所述第四电容和第五电容之间，另一端配置为接收地电平的第三电阻。

6.如权利要求4或5所述的压控振荡器，其中在所述压控振荡器工作频率范围内所述第四电容和所述第五电容的等效阻抗小于所述第一电阻或第二电阻的阻值。

7.如权利要求1所述的压控振荡器，其中所述电容性支路包括彼此并联的第六电容和第七电容。

8.如权利要求7所述的压控振荡器，其中在所述压控振荡器工作频率范围内所述第六电容和第七电容的等效阻抗小于第一电阻或第二电阻的阻值。

9.如权利要求5所述的压控振荡器，其中所述第三电阻的阻值远大于所述第一电阻的阻值或第二电阻的阻值。

10.如权利要求1所述的压控振荡器，还包括电源，耦合到所述电感的中心抽头，配置为所述VCO提供电源信号。

11.如权利要求10所述的压控振荡器，还包括

开关电容阵列，与所述电感并联；

反向模块，耦合到所述开关电容阵列，配置为在所述电源输出的控制下向所述开关电容阵列提供控制信号以调整其电容值。

12.如权利要求10或11所述压控振荡器，其中，所述电源包括低压差线性稳压器，其第一输入端配置为接收参考电流，其第二输入端耦合至低压差线性稳压器输出端，所述输出端耦合到所述电感；其中所述参考电流I_ref＝m*I_ptat+n*I_bg/r，

其中I_ptat为正温度系数电流，I_bg/r为带隙基准电压除电阻产生的电流,其中m和n的值可调，以补偿压控振荡器中电容阵列的温度漂移。