[发明专利]导流装置、单晶炉及导流控制方法

权利要求书

1.一种导流装置，用于单晶炉腔室内，其特征在于，包括：

输送管道，用于向单晶炉腔室内输送保护气体；

导流筒，用于设置在单晶炉腔室内的坩埚上方、以引导保护气体流动，所述导流筒具有第一端面和第二端面，以及自所述第一端面延伸至所述第二端面的容置通道；

所述输送管道经由所述容置通道穿过并延伸至所述导流筒的下沿，且所述输送管道固定在所述导流筒的外壁面或者内壁面上，所述输送管道包括至少一个出口，所述输送管道的至少一个所述出口设置在所述导流筒的下沿；

所述导流装置还包括储存器和第一控制阀；

所述储存器设置在所述输送管道上，所述储存器内设置有储存区，所述储存区用于储存添加剂；

所述第一控制阀设置在所述储存器内、用于控制所述储存区与所述输送管道的连通和隔离；

所述第一控制阀关闭时，所述储存区与所述输送管道隔离；

所述第一控制阀开启时，所述储存区与所述输送管道连通，所述储存区内的所述添加剂在保护气体的带动下沿所述输送管道输送至所述导流筒的下沿。

2.根据权利要求1所述的导流装置，其特征在于：

所述输送管道的至少一个所述出口的中心轴线朝向所述导流筒的下沿平面，且所述输送管道的至少一个所述出口的中心轴线向所述导流筒的下沿平面方向偏离的角度小于5度。

3.根据权利要求2所述的导流装置，其特征在于：

所述输送管道的至少一个所述出口的中心轴线朝向所述导流筒的中心轴线设置，且所述输送管道的至少一个所述出口的中心轴线向垂直于所述导流筒的中心轴线方向偏离的角度小于5度。

4.根据权利要求1所述的导流装置，其特征在于：

所述输送管道包括进气管和与所述进气管连通的分流管，所述进气管包括设置在所述第一端面上的进气口，所述进气管经由所述容置通道穿过并延伸至所述导流筒的下沿，所述分流管呈环形并设置在所述导流筒的下沿，所述输送管道的至少一个所述出口设置在位于所述导流筒下沿的所述分流管上。

5.根据权利要求4所述的导流装置，其特征在于：

所述输送管道上的所述出口的数量为3至6个，且多个所述出口等距设置在所述分流管上。

6.根据权利要求4所述的导流装置，其特征在于：

每个所述出口的边缘设置有倒角，所述倒角的角度小于45度。

7.一种单晶炉，其特征在于：

包括权利要求1至6任一项所述的导流装置、坩埚、进气管道和第二控制阀，所述导流筒的下沿与所述坩埚内的待拉制晶体溶液具有间隔，所述进气管道与所述输送管道连通，所述第二控制阀设置在所述进气管道上、用于控制保护气体在所述输送管道内的流量。

8.根据权利要求7所述的单晶炉，其特征在于：

所述第一控制阀在单晶拉制结束后开启，所述添加剂在保护气体的带动下经由所述输送管道进入所述坩埚。

9.一种导流控制方法，用于在如权利要求7或8所述的单晶炉内制备太阳能单晶棒，其特征在于，包括：

在单晶制备阶段，关闭所述第一控制阀，且根据不同的单晶拉制阶段，控制所述第二控制阀的开度；其中，

在化料阶段，通过所述第二控制阀将保护气体在所述输送管道内的流量控制为50~200L/min；

在拉晶阶段，通过所述第二控制阀将保护气体在所述输送管道内的流量控制为1~20L/min。

10.根据权利要求9所述的导流控制方法，其特征在于，还包括：

在单晶制备阶段结束后的冷却阶段，开启所述第一控制阀，通过所述第二控制阀将保护气体在所述输送管道内的流量控制为10~50L/min，使所述添加剂在保护气体的带动下经由所述输送管道进入所述坩埚。